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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计粒子所受重力).在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求:
(1)电子进入电场II时的速度?
(2)电子离开ABCD区域的位置?
(3)电子从释放开始到离开电场II过程中所经历的时间?
分析:(1)电子在AB边的中点处由静止释放,受到水平向左的电场力作用而做匀加速直线运动,由动能定理可求出电子进入电场II时的速度.
(2)电子从CD区域右侧中点进入区域Ⅲ匀强电场中做类平抛运动,水平方向做匀速直线运动,竖直方向做初速度为零的匀加速直线运动,由牛顿第二定律和运动学公式结合求出电子离开ABCD区域的位置.
(3)分三段分别求出电子在三个区域运动的时间,再求出总时间.
解答:解:(1)电子在区域Ⅰ中运动时,由动能定理得:
eEL=
1
2
mv2
得:v=
2eEL
m
…①
(2)电子从CD区域右侧中点进入区域Ⅲ匀强电场中做类平抛运动,水平方向做匀速直线运动,竖直方向做初速度为零的匀加速直线运动.设电子的质量为m,电量为e,假设电子从CD边射出,出射点纵坐标为y,匀变速直线运动公式有:
L
2
-y=
1
2
a
t2=
eE
2m
(
L
v
)2
…②
联立①②得:y=
1
4
L
,所以原假设成立,即电子离开ABCD区域的位置坐标为(-2L,
1
4
L).
(3)设电子在区域Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ运动的时间分别为t1、t2、t3,则:
  L=
v
2
t1
… ③
  L=vt2 …④
  L=vt3 …⑤
电子运动的总时间为:t=t1+t2+t3
联立解得:t=
8mL
eE

答:(1)电子进入电场II时的速度为
2eEL
m

(2)电子离开ABCD区域的坐标为(-2L,
1
4
L).
(3)电子从释放开始到离开电场II过程中所经历的时间为
8mL
eE
点评:从内容看,该题涉及的是电子在电场中的运动,这部分知识学生相对比较熟悉,也是经常训练的题型之一,只不过本题作了拓展.考核了带电粒子在简化的电子枪模型中的运动情况,是一道拓展型试题,
练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:

(2008?上海)如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力).
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置.
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.
(3)若将左侧电场II整体水平向右移动
Ln
(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在xOy平面的第一象限,存在以x轴、y轴及双曲线y=
L24x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E,不计电子所受重力,电子的电荷量为e,求:
(1)从电场区域Ⅰ的边界B点处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的坐标;
(2)试证明在电场Ⅰ区域的AB曲线边界由静止释放的所有电子离开MNPQ时都从P点离开的
(3)由电场区域Ⅰ的AB曲线边界由静止释放电子离开P点的最小动能.

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ,已知A、D两点的坐标分别为(L,0)和(-2L,0),两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力),现在该区域AB边的中点处由静止释放一电子,已知电子质量为m,带电量为e,试求:
(1)电子离开ABCD区域的位置坐标;
(2)电子从电场Ⅱ出来后经过多少时间到达X轴;
(3)电子到达X轴时的位置坐标.

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的第一象限,存在以x轴y轴及双曲线y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)为边界的匀强电场I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的匀强电场II.两个电场大小均为E,不计电子所受重力.求
(1)从电场I的边界B点处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的位置;
(2)由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动
L
n
(n≥1),要使电子从x=-2L,y=0处离开电场区域II,在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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