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如图11-9所示,一个U形导体框架,其宽度L=1m,框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B=0.2T。今有一条形导体ab,其质量为m=0.5kg,有效电阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能无摩擦地滑动,求:
  (1)由静止释放导体,导体ab下滑的最大速度vm
  (2)在最大速度vm时,在ab上释放的电功率。(g=10m/s2)。
(1)
(2)
【错解分析】
  错解一:
  (1)ab导体下滑过程中受到重力G和框架的支持力N,如图11-10。
  根据牛顿第二定律ΣF=ma
mgsinα= ma
a = gsinα
  导体的初速度为V0=0,导体做匀加速直线运动,由运动学公式
v=v0+at=5t
  随着t的增大,导体的速度v增大vm→∞

  由ε=BLv可知
当vm→∞,电功率P→∞
  错解二:
  当导体所受合力为零时,导体速度达到最大值。
  (1)导体ab受G和框架的支持力N,而做加速运动
  由牛顿第二定律
mgsin30°= ma
a = gsin30°
  但是导体从静止开始运动后,就会产生感应电动势,回路中就会有感应电流,感应电流使得导体受到磁场的安培力的作用。设安培力为FA
  
  随着速度v的增加,加速度a逐渐减小。当a=0时,速度v有最大值

  分析导体ab下滑过程中物理量变化的因果关系是求ab导体下滑最大速度的关键。
  错解一:正是由于对电磁现象规律和力与运动的关系理解不够,错误地分析出ab导体在下滑过程中做匀加速运动。实际上,导体ab只要有速度,就会产生感应电动势,感应电流在磁场中受到安培力的作用。安培力随速度的增加而增大,且安培力的方向与速度方向相反,导体做加速度逐渐减小的变加速直线运动。
  错解二:的分析过程是正确的,但是把导体下滑时产生的电动势写错了公式,ε=BLvsin30°中30°是错误的。ε=BLvsinθ中的θ角应为磁感强度B与速度v的夹角。本题中θ=90°。
  【正确解答】
  (1)导体ab受G和框架的支持力N,而做加速运动由牛顿第二定律
mgsin30°= ma
a = gsin30°= 5(m/s2
  但是导体从静止开始运动后,就会产生感应电动势,回路中就会有感应电流,感应电流使得导体受到磁场的安培力的作用。设安培力为FA

  随着速度v的增加,加速度a逐渐减小。当a=0时,速度v有最大值

  (2)在导体ab的速度达到最大值时,电阻上释放的电功率

  【小结】:物理解题训练同学们的思维能力。本题要求同学从多角度来看问题。从加速度产生的角度看问题。由于导体运动切割磁感线发生电磁感应产生感应电流,感应电流的受力使得导体所受的合力发生改变,进而使导体的加速度发生变化,直到加速度为零。从能量转化和守恒的角度看:当重力做功使导体的动能增加的同时,导体又要切割磁感线发生电磁感应将动能转化为内能。直至重力做功全部转化为回路的内能。 
练习册系列答案
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(3)线框落地时的速度的大小。

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(1)线框cd边刚进入磁场时速度的大小。
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A、>>>              B、>>  
C、>>             D、>

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A.
B.
C.
D.

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