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如图,离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角

(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;

(3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处,质量为16m的离子打在处。求之间的距离。

 

(1)(5分)正离子被电压为U0的加速电场加速后速度设为v0,根据动能定理有 

正离子垂直射入匀强偏转电场,作类平抛运动

沿电场线方向   

垂直电场方向匀速运动,有

沿场强方向:

联立解得      

设粒子飞出偏转电场时与平板方向的夹角为,则

解得=45°;φ==45°

(2)(6分)正离子进入磁场时的速度大小为

解得   

正离子在匀强磁场中作匀速圆周运动,由洛仑兹力提供向心力, 

解得离子在磁场中做圆周运动的半径       

(3)(7分)粒子运动的轨迹如图甲所示,

根据可知,

质量为4m的离子在磁场中的运动打在S1,运动半径为     

质量为16m的离子在磁场中的运动打在S2,运动半径为     

如图所示又  

由几何关系可知S1和S2之间的距离,   

联立解得   

解析:略

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2009?重庆)如图,离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ;
(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;
(3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处,质量为16m的离子打在S2处.求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围.

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图,离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角

(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;

(3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处,质量为16m的离子打在处。求之间的距离。

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年山西省临汾一中忻州一中长治二中高三第三次四校联考(理综)物理部 题型:计算题

如图,离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角

(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;

(3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处,质量为16m的离子打在处。求之间的距离。

 

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科目:高中物理 来源:2012年四川省遂宁市射洪中学高考物理模拟试卷(四)(解析版) 题型:解答题

如图,离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U的加速电场加速后匀速通过准直管,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏转电场场强E的大小以及HM与MN的夹角φ;
(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;
(3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处,质量为16m的离子打在S2处.求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围.

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