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如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,金属线框的质量为m,电阻为R.在金属线框的下方有一匀强磁场区域, MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由静止开始下落到完全穿过匀强磁场区域瞬间的速度-时间图象,图像中坐标轴上所标出的字母均为已知量.求:

(1)金属框的边长L;

(2)磁场的磁感应强度B;

(3)请分别计算出金属线框在进入和离开磁场的过程中所产生的热量Q1和Q2


 

 

(1)由图象可知,金属框进入磁场过程中是做匀速直线运动,速度为v1,运动时间为t2-t1   ………………1分

 所以金属框的边长 …………………2分

(2)在金属框进入磁场的过程中,金属框所受安培力等于重力

      …………2分         ……………1分

    解得  ………………2分

(3)金属框在进入磁场过程中金属框产生的热为Q1,重力对其做正功,安培力对其做负功,由能量守恒定律得

    ……………2分

金属框在离开磁场过程中金属框产生的热为Q2,重力对其做正功,安培力对其做负功,由能量守恒定律得

       ………………2分

即: ……………1分

解析:略

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2013?枣庄一模)如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,金属线框的质量为m,电阻为R0在金属线框的下方有一匀强磁场区域,MN和PQ是匀强磁场区域的水平边界,并与 线框的bc边平行,磁场方向垂直于线框平面向里.现使金属线框从MN上方某一髙度处由 静止开始下落,如图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域瞬间的v-t图象,图象中内均为已知量.重力加速度为g不计空气阻力.下列说法正确的是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ad、bc接触良好,回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中,磁场的磁感应强度B随时间t变化情况如图乙所示(设图甲中B的方向为正方向).若PQ始终静止,关于PQ与框架间的摩擦力在 0~t1时间内的变化情况,有如下判断
①一直增大     
②一直减小
③先减小后增大 
④先增大后减小
以上对摩擦力变化情况的判断可能的是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2009?奉贤区一模)如图甲所示,ABCD为一液体槽,AB、CD面为铜板,BC、AD面及底面为绝缘板,槽中盛满导电液体(设该液体导电时不发生电解,看作是一个定值电阻).现用质量不计的细铜丝在下端固定一小铁球构成一单摆,铜丝的上端固定在O点,下端稍穿出铁球,当摆球在液体上方摆动时,细铜丝始终与导电液体接触(铜丝与液体间的阻力忽略不计),过点的竖直线刚好在AD边的垂直平分面上,在铜板AB、CD面上接上图示的电路.用DIS测得该电源路端电压U随外电阻R的变化规律见下表,已知R1=2Ω,R2=10Ω,滑动变阻器R3的总电阻为20Ω.
R(Ω) 2 4 6 8 10 12
U(V) 6 8 9 9.6 10 10.3
将电源负极和细铜丝的上端点分别连接到电压传感器.若将摆球拉离平衡位置,使其在垂直于、的竖直面内做简谐振动,把滑片P滑至M点,闭合开关S,通过电压传感器,经计算机得到图乙的波形.试求:

(1)该电源的电动势E和内阻r;
(2)单摆的摆长(取π2约等于10);
(3)此导电液体的电阻.

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的边长为10cm的正方形闭合金属线框,线框的质量为m=0.02Kg,电阻为R=0.1Ω.在线框的下方有一匀强磁场区域,MN是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现让线框由距MN的某一高度从静止开始下落,经0.2s开始进入磁场,图乙是线框由静止开始下落的速度一时间图象.空气阻力不计,g取10m/s2求:
(1)金属框刚进入磁场时的速度;
(2)磁场的磁感应强度.

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2009?天津模拟)如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,底边bc水平,金属线框的质量为m,电阻为R.在金属线框的下方有一水平方向的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的上下边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现金属线框从磁场上方某一高度处由静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过磁场区域瞬间的速度-时间图象,图象中坐标轴上所标出的字母均为已知量,重力加速度为g,忽略空气阻力.求:
(1)金属框的边长以及磁场的磁感应强度;
(2)金属线框在离开磁场过程中所产生的热量.

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