如右图所示.带电的平行金属板电容器水平放置.质量相同.重力不计的带电微粒A.B.平行于极板以相同的初速度射入电场.结果打在极板上的同一点P.不计两微粒之间的库仑力.下列说法正确的是( )A．在电场中微粒A运动的时间比B长B．微粒A所带的电荷量比B多C．电场力对微粒A做的功比B少D．到达P点时微粒A的速率比B小题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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如右图所示，带电的平行金属板电容器水平放置，质量相同、重力不计的带电微粒A、B，平行于极板以相同的初速度射入电场，结果打在极板上的同一点P.不计两微粒之间的库仑力，下列说法正确的是(　　)

A．在电场中微粒A运动的时间比B长
B．微粒A所带的电荷量比B多
C．电场力对微粒A做的功比B少
D．到达P点时微粒A的速率比B小

试题分析：据题意可知，A、B是同种电荷，设距N板的距离为h，水平方向上的位移为x，则：

在竖直方向上有：

，根据牛顿第二定律可得：

，功的计算式可得

结合题意和以上式子可知：A、B运动时间相等，A的加速度大于B的，故A的带电荷量大于B的；电场力对A做的功大于对B做的功，故到达P点时，A的速率大于B的，故B对．
故选B
点评：做此类型问题的关键是对带电粒子在各个方向上的运动性质正确掌握，结合牛顿第二定律分析解题

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科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

关于带电粒子在匀强电场和匀强磁场中的运动，下列说法中正确的是（　　）

A．带电粒子沿电场线方向射入，电场力对带电粒子做正功，粒子动能一定增加

B．带电粒子垂直于电场线方向射入，电场力对带电粒子不做功，粒子动能不变

C．带电粒子沿磁感线方向射入，洛伦兹力对带电粒子做正功，粒子动能一定增加

D．不管带电粒子怎样射入磁场，洛伦兹力对带电粒子都不做功，粒子动能不变

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科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

如图所示，电子在电势差为U₁的加速电场中由静止开始运动，然后射入电势差为U₂的两块平行板间的电场中，入射方向跟极板平行，整个装置处于真空中，重力可忽略.在满足电子能射出平行板的条件下，下述四种情况中，一定能使电子的偏角φ变大的是：

A．U₁变大，U₂变大	B．U₁变小，U₂变大
C．U₁变大，U₂变小	D．U₁变小，U₂变小

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科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

如下图所示，水平放置的平行板间的匀强电场正中有一带电微粒正好处于静止状态。如果把两平行带电板改为竖直放置，带电微粒的运动状态将是（）

A．保持静止状态

B．从P点开始作自由落体运动

C．从P点开始做类平抛运动

D．从P点开始做初速度为零，加速度为

g的匀加速直线运动

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科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

（18分）如图甲所示，两个完全相同的平行板电容器PQ和MN，板间距离为d，极板长为L，极板厚度不计。将它们置于图示方向足够大的匀强磁场中，磁感应强度为B₀，两电容器极板的左端和右端分别对齐，两电容器极板所加电压值相同。一质量为m、电荷量为+q、重力不计的粒子从极板P、Q间的中轴线O₁O₂左边缘的O₁点，以速度v₀沿O₁O₂匀速穿过电容器PQ，经过磁场偏转后沿极板M、N的中轴线O₃O₄做匀速直线运动，又经过磁场回到O₁点，如此循环往复。不计电容器之外的电场对粒子运动的影响。求

（1）极板P、Q，M、N间所加电压的数值U。
（2）Q板和M板间的距离x。
（3）粒子从O₁点开始运动到再次回到O₁点所用的时间。
（4）若撤去电容器上所加的电压，将原磁场换作按图乙规律变化的磁场，取垂直纸面向里为磁场的正方向。粒子仍从O₁点沿O₁O₂在0时刻以速度v₀进入电容器PQ，在

时刻恰好从P板右边缘水平射出（

为未知量）。则B₁为多少？

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科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

如图所示，abcd是一个正方形盒子．cd边的中点有一个小孔e．盒子中有沿ad方向的匀强电场，一个质量为m带电粒子从a处的小孔沿ab方向以初速度v0射入盒内，并恰好从e处的小孔射出。求：

⑴该带电粒子从e孔射出时的速度大小。
⑵该过程中电场力对该带电粒子做的功。

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科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

钍核

发生衰变生成镭核

并放出一个粒子。设该粒子的质量为

、电荷量为q，它进入电势差为U的带窄缝的平行平板电极

和

间电场时，其速度为

，经电场加速后，沿

方向进入磁感应强度为B、方向垂直纸面向外的有界匀强磁场，

垂直平板电极

，当粒子从

点离开磁场时，其速度方向与

方位的夹角

，如图所示，整个装置处于真空中。

（1）写出钍核衰变方程；
（2）求粒子在磁场中沿圆弧运动的轨道半径R；
（3）求粒子在磁场中运动所用时间

。

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科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

（16分）如图所示，电子自静止开始经M、N板间的电场加速后从A点垂直于磁场边界射入宽度为d的匀强磁场中，两板间的电压为U，电子离开磁场时的位置P偏离入射方向的距离为L，在距离磁场边界S处有屏幕N，电子射出磁场后打在屏上。（已知电子的质量为m，电荷量为e）求:
（1）电子进入磁场的速度大小
（2）匀强磁场的磁感应强度
（3）电子打到屏幕上的点距中心O点的距离是多少？