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    B．在一定温度下，某种理想气体分子的速率分布应该是（　　）
    分析：解答本题的关键是结合不同温度下的分子速率分布曲线理解温度是分子平均动能的标志的含义．
    解答：解：由不同温度下的分子速率分布曲线可知，分子数百分率呈现“中间多，两头少”统计规律，温度是分子平均动能的标志，温度高则分子速率大的占多数，所以分子的速率不等，在一定温度下，速率很大和很小的分子数目很少，每个分子具有多大的速率完全是偶然的，故BD正确．
    故选BD
    点评：对于物理学中的基本概念和规律要深入理解，理解其实质，不能只是停留在表面上，同时要通过练习加强理解．
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    相关习题

    科目：高中物理 来源： 题型：阅读理解

    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．精英家教网
    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
    A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150Ω
    B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
    C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
    D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
    E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
    F．开关S，导线若干
    （2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：
    1 2 3 4 5 6
    U （V） 0.00 0.45 0.92 1.50 1.79 2.71
    A （mA） 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80
    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=
     
    ，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=
     
    T．
    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”救应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻一磁感应强度特性曲线，其中RB，R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．
    提供的器材如下：
    A．磁敏电阻，无磁场时阻值Ro=150Ω
    B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
    C．电流表．量程2.5mA，内阻约30Ω  
    D．电压表，量程3V，内阻约3kΩ
    E．直流电源E，电动势3V，内阻不计  
    F．开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=
    1500
    1500
    Ω，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=
    0.90
    0.90
    T．
    1 2 3 4 5 6
    U（V） 0.00 0.45 0.91 1.50 1.79 2.71
    I（Ma） 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80
    （3）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻一磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    科目：高中物理 来源： 题型：阅读理解

    （08年山东卷)（12分）2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻―磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA,内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

     

     

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

        根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=       ，结合图1可知待测磁场的磁感应强B＝     T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻―磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    关于气体分子运动的特点,下列说法正确的是(    )

    A.任一时刻,气体分子沿各方向运动的机会是均等的

    B.在某一温度下,气体内所有分子的速率都是相等的

    C.在一定温度下,某种气体分子的速率分布是确定的

    D.当温度升高时,每个气体分子的速率都一定变大

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    科目：高中物理 来源： 题型：阅读理解

    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA，内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

     

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感

    应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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