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    如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°。（忽略粒子所受重力）
    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ；
    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16m的离子打在S2处。求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。
    解：（1）正离子被电压为U0的加速电场加速后速度设为V1，设对正离子，应用动能定理有
    eU0＝mV12
    正离子垂直射入匀强偏转电场，作类平抛运动
    受到电场力F＝qE0、产生的加速度为a＝，即a＝
    垂直电场方向匀速运动，有2d＝V1t
    沿场强方向：Y＝at2
    联立解得E0＝
    又tanφ＝
    解得φ＝45°
    （2） 正离子进入磁场时的速度大小为V2＝，正离子在匀强磁场中作匀速圆周运动，由洛仑兹力提供向心力，qV2B＝
    解得离子在磁场中做圆周运动的半径R＝2
    （3）根据R＝2可知
    质量为4m的离子在磁场中的运动打在S1，运动半径为R1＝2
    质量为16m的离子在磁场中的运动打在S2，运动半径为R2＝2
    又ON＝R2－R1
    由几何关系可知S1和S2之间的距离ΔS＝－R1
    联立解得ΔS＝4(－)
    由R′2＝(2R1)2+(R′－R1)2，解得R′＝R1
    再根据R1＜R＜R1，解得m＜mx＜25m
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    （2009?重庆）如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO=d，HS=2d，∠MNQ=90°．（忽略粒子所受重力）
    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ；
    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16m的离子打在S2处．求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

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    如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管W#W$W%.K**S*&5^U，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d，HS=2d，=90°。

    （忽略粒子所受重力和一切阻力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处，质量为16m的离子打在处。求和之间的距离。

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    如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d，HS=2d，=90°。

    （忽略粒子所受重力和一切阻力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处，质量为16m的离子打在处。求和之间的距离。

     

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    如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d，HS=2d，=90°。

    （忽略粒子所受重力和一切阻力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处，质量为16m的离子打在处。求和之间的距离。

     

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    如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO=d，HS=2d，∠MNQ=90°．（忽略粒子所受重力）
    （1）求偏转电场场强E的大小以及HM与MN的夹角φ；
    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16m的离子打在S2处．求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

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