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如图所示,当线框从直线电流的左边运动到右边的过程中,关于线框中的磁通量的变化情况正确的说法是(  )
A.一直增加
B.先增加再减少
C.先增加再减少再增加
D.先增加再减少再增加再减少
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分四段过程研究:
线框从a位置到右侧刚b的过程,根据安培定则判断得到:穿过线框的磁场方向向外,磁场增强,磁通量增大;
从线框右侧刚b到线框中线经过b的过程:穿过线框的左部分的磁场向外,右侧磁场向里,两边磁通量有抵消,而且抵消增多,磁通量减小;
从线框中线经过b到刚离开b的过程:穿过线框的左部分的磁场向外,右侧磁场向里,右侧的磁感线较多,两边磁通量有抵消,但抵消减小,磁通量增大;
从线框离开b到c位置的过程,磁场减弱,磁通量减小.
所以先增加再减少再增加再减少.
故选D
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科目:高中物理 来源: 题型:

(2011?湖北二模)光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R、用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i0表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F0表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2011?安徽二模)光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R.用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进人磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i0表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F0表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的(  )

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年山东省诸城市高三2月月考(理综)物理部分 题型:选择题

光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场,宽度为2,一边长为、电阻为.用同种材料做成的正方形线框以初速度从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用表示线框速度(以右为正方向),表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,表示零时刻回路的感应电流),表示两点间的电压,表示边所受的安培力(向左为正,表示零时刻边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间或对位移的图象中正确的是

 

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年河北省衡水市冀州中学高三(上)期末物理试卷(解析版) 题型:选择题

光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R、用同种材料做成的正方形线框以初速度v从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的是( )

A.
B.
C.
D.

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科目:高中物理 来源:2011年安徽省江南十校联考高考物理二模试卷(解析版) 题型:选择题

光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R.用同种材料做成的正方形线框以初速度v从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进人磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的( )

A.①③正确
B.②④正确
C.③④正确
D.①②③④正确

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