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在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+( )

A.在内场中的加速度之比为1:1
B.在磁场中运动的半径之比为:1
C.在磁场中转过的角度之比为1:2
D.离开电场区域时的动能之比为1:3
【答案】分析:要分析加速度就要先分析其受的电场力,而要分析动能就要看电场做的功.
要分析半径就要用洛伦兹力充当向心力,来找出半径,有了半径其转过的角度就很容易了.
解答:解:A:两个离子的质量相同,其带电量是1:3的关系,所以由可知其在电场中的加速度是1:3,故A错.
B:要想知道半径必须先知道进入磁场的速度,而速度的决定因素是加速电场,所以在离开电场时其速度表达式为:,可知其速度之比为:.又由,所以其半径之比为,故B正确.
C:由B的分析知道,离子在磁场中运动的半径之比为:,设磁场宽度为L,离子通过磁场转过的角度等于其圆心角,所以有,则可知角度的正弦值之比为,又P+的角度为30,可知P+3角度为60,故C正确.
D:由电场加速后:可知,两离子离开电场的动能之比为1:3,故D正确.
故选B,C,D.
点评:磁场中的圆周运动问题重点是要找出半径,然后通过合理的作图画出粒子的运动轨迹,基本就可以解决问题了,磁场中的轨迹问题是高考特别喜欢考查的内容,而且都是出大题,应该多做训练.
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科目:高中物理 来源: 题型:

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A.在电场中的加速度之比为1:1

B.在磁场中运动的半径之比为:1

C.在磁场中转过的角度之比为1 : 2

D.离开电场区域时的动能之比为1 : 3

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A.在电场中的加速度之比为1∶1

B.在磁场中运动的半径之比为∶1

C.在磁场中转过的角度之比为1∶2

D.离开电场区域时的动能之比为1∶3

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科目:高中物理 来源:浙江 题型:多选题

在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+(  )
A.在内场中的加速度之比为1:1
B.在磁场中运动的半径之比为
3
:1
C.在磁场中转过的角度之比为1:2
D.离开电场区域时的动能之比为1:3
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