科目:高中物理 来源: 题型:
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科目:高中物理 来源: 题型:
在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示。已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+
A.在电场中的加速度之比为1:1
B.在磁场中运动的半径之比为:1
C.在磁场中转过的角度之比为1 : 2
D.离开电场区域时的动能之比为1 : 3
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科目:高中物理 来源: 题型:
在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+( )
A.在电场中的加速度之比为1∶1
B.在磁场中运动的半径之比为∶1
C.在磁场中转过的角度之比为1∶2
D.离开电场区域时的动能之比为1∶3
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科目:高中物理 来源:浙江 题型:多选题
A.在内场中的加速度之比为1:1 | ||
B.在磁场中运动的半径之比为
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C.在磁场中转过的角度之比为1:2 | ||
D.离开电场区域时的动能之比为1:3 |
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