【题目】下列几种说法中,正确的是( )
A. 物体受到变力作用,一定做曲线运动
B. 物体受到恒力作用,一定做匀变速直线运动
C. 当物体所受合外力方向与速度方向不在一条直线上时,一定做曲线运动
D. 当物体所受合外力恒定时,可以做曲线运动
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【题目】如图所示,一根轻绳长1.6m,一端系在固定支架上,另一端悬挂一个质量为1kg的砂箱。砂箱处于静止。质量为10g的子弹以水平速度V0=50m/s打入砂箱,其后以V=10m/s速度从砂箱穿出。g取10m/s2。求:
(1)砂箱和子弹作为一个系统共同损失的机械能;
(2)砂箱获得速度后,上升的最大高度。
(3)砂箱从最高点返回到最低点处时,绳对砂箱的拉力大小。
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【题目】某次科学实验中,从高温环境中取出一个如图所示的圆柱形导热气缸,把它放在大气压强为P0=latm、温度为t0=27℃的环境中自然冷却。该气缸内壁光滑,容积为V=lm3,开口端有一厚度可忽略的活塞。开始时,气缸内密封有温度为t=447℃、压强为P=1.2atm的理想气体,将气缸开口向右固定在水平面上,假设气缸内气体的所有变化过程都是缓慢的。求:
(1)活塞刚要向左移动时,气缸内气体的温度t1;
(2)最终气缸内气体的体积V1;
(3)在整个过程中,气缸内气体对外界___(填“做正功”“做负功”或“不做功”),气缸内气体放出的热量__(填“大于”“等于”或“小于”)气体内能的减少量。
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【题目】如图所示的直角坐标系中,第一象限内分布着均匀辐射的电场,坐标原点与四分之一圆弧的荧光屏间电压为U;第三象限内分布着竖直向下的匀强电场,场强大小为E.大量电荷量为–q(q>0)、质量为m的粒子,某时刻起从第三象限不同位置连续以相同的初速度v0沿x轴正方向射入匀强电场.若粒子只能从坐标原点进入第一象限,其它粒子均被坐标轴上的物质吸收并导走而不影响原来的电场分布.不计粒子的重力及它们间的相互作用.下列说法正确的是( )
A. 能进入第一象限的粒子,在匀强电场中的初始位置分布在一条直线上
B. 到达坐标原点的粒子速度越大,入射速度方向与y轴的夹角θ越大
C. 能打到荧光屏的粒子,进入O点的动能必须大于qU
D. 若U< ,荧光屏各处均有粒子到达而被完全点亮
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【题目】下列说法中正确的是( )
A. 蹦床运动员上升到最高点时速度为零,加速度为零
B. 宇航员随飞船绕地球做圆周运动时处于失重状态
C. 铋210的半衰期是5天,经过15天后, 铋还剩
D. 穿过线圈的磁通量越大,感应电动势越大
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【题目】一列沿着x轴正方向传播的横波,在时刻的波形如图甲所示,图甲中某质点的振动图像如图乙所示,下列说法正确的是_____
A. 图乙表示质点L的振动图像
B. 该波的波速为
C. 在内质点M的位移为0
D. 在内K质点所经历的路程为
E. 质点L经过沿x轴正方向移动
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【题目】用一个中子轰击92235U,可发生裂变反应生成Ba和Kr,已知U的质量为235.043 9u,Ba的质量为140.9139u,Kr的质量为91.8973u,中子质量为1.008 7u,
(1)请写出裂变中的核反应方程,
(2)求一个U在裂变反应中释放的核能
(3)lgU全部反应释放的能量为多少?
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【题目】在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+ ( )
A. 在电场中的加速度之比为1:1
B. 在磁场中运动的半径之比为
C. 在磁场中转过的角度之比为1:2
D. 离开电场区域时的动能之比为1:3
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【题目】对于做匀速圆周运动的物体,下面说法错误的是( )
A. 相等的时间里通过的路程相等
B. 相等的时间里通过的弧长相等
C. 相等的时间里发生的位移相同
D. 相等的时间里转过的角度相等
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