分析 (1)由题意,微粒在x轴上方做类平抛运动,将运动分解,即可求出电场强度的大小;
(2)对微粒减小受力分析知,微粒受到的电场力与重力大小相等,方向相反,所以洛伦兹力通过向心力,画出运动的轨迹,结合几何关系求出半径,然后又洛伦兹力通过向心力即可求出磁感应强度,由左手定则判断出磁场的方向;
(3)微粒再次返回x轴上方后,做类斜上抛运动,将运动分解,即可求出S的坐标;分别求出各段的时间求和即可.
解答 解:(1)由题意,微粒在x轴上方做类平抛运动,水平方向:2l=v0t
竖直方向:$l=\frac{1}{2}a{t}^{2}$
联立得:$t=\sqrt{\frac{l}{g}}$,a=2g
微粒受到重力和电场力的作用,由牛顿第二定律:
qE+mg=ma
所以:E=$\frac{mg}{q}$
(2)微粒到达Q点时:${v}_{y}=at=2g•\sqrt{\frac{l}{g}}=2\sqrt{gl}$
所以:v=$\sqrt{{v}_{0}^{2}+{v}_{y}^{2}}=2\sqrt{2gl}$
速度与x轴的夹角:tanθ=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}=\frac{2\sqrt{gl}}{2\sqrt{gl}}=1$
可知微粒与x轴之间的夹角是45°
微粒在x轴下方受到重力、电场力和洛伦兹力到达作用,由于在x轴下方电场力的方向向上,与重力相等相等,所以微粒做匀速圆周运动,微粒恰好到达O点,则运动的轨迹如图,由左手定则可得,磁场的方向向外,由图中几何关系得:
$R=\frac{OQ}{\sqrt{2}}=\sqrt{2}l$
微粒做圆周运动,则:
$qvB=\frac{m{v}^{2}}{R}$
所以:$B=\frac{mv}{qR}=\frac{2m}{ql}•\sqrt{gl}$
(3)如图,由对称性可知,微粒返回x祝上方后的速度仍然是$2\sqrt{2gl}$,方向与x轴之间的夹角仍然是45°,在第一象限中做类斜上抛运动,运动的时间:
$t′=\frac{2{v}_{y}}{a}=\frac{2×2\sqrt{gl}}{2g}=2\sqrt{\frac{l}{g}}$
水平方向的位移:$x={v}_{0}•t′=2\sqrt{gl}•2\sqrt{lg}=4l$
由图可知,微粒在磁场中运动的时间是$\frac{3}{4}$T,即:$t″=\frac{3}{4}T=\frac{3}{4}•\frac{2πR}{v}=\frac{3}{4}π\sqrt{\frac{l}{g}}$
微粒运动的总时间:${t}_{总}=t+t′+t″=\sqrt{\frac{l}{g}}+2\sqrt{\frac{l}{g}}+\frac{3π}{4}\sqrt{\frac{l}{g}}=(3+\frac{3π}{4})\sqrt{\frac{l}{g}}$
答:(1)电场强度E的大小是$\frac{mg}{q}$;
(2)磁感应强度B的大小是$\frac{2m}{ql}•\sqrt{gl}$,方向垂直于纸面向外;
(3)S点横坐标是4l;微粒从P运动到S经历的时间是$(3+\frac{3π}{4})\sqrt{\frac{l}{g}}$.
点评 解决本题的关键知道粒子在磁场中做匀速圆周运动,在电场中做类平抛运动和类斜上抛运动,结合粒子在磁场中的半径公式和周期公式进行求解.
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 突变型光纤的从光纤中心芯到玻璃包层的折射率是突然变大 | |
B. | 渐变型光纤的从光纤中心芯到玻璃包层的折射率是逐渐变小 | |
C. | 光在渐变型光纤中的传播轨迹是直折线 | |
D. | 光在突变型光纤中的传播轨迹是曲线 |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
计数点 | x/cm | s/cm | v/(m•s)-1 |
O | 1.00 | 0.30 | |
A | 2.34 | 1.34 | 0.38 |
B | 4.04 | 3.04 | 0.46 |
C | 6.00 | 5.00 | 0.54 |
D | 8.33 | 7.33 | 0.61 |
E | 10.90 | 9.90 | 0.70 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | d应保持不变 | B. | B的位置在同一圆弧上 | ||
C. | x与电荷量乘积Qq成正比 | D. | tanθ与A、B间库仑力成正比 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 高频部分 | B. | 低频部分 | C. | 中频部分 | D. | 中频和低频 |
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