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    在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示。已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+

    A．在电场中的加速度之比为1:1

    B．在磁场中运动的半径之比为:1

    C．在磁场中转过的角度之比为1 : 2

    D．离开电场区域时的动能之比为1 : 3

    BCD【解析】电场中的加速度，则在电场中的加速度之比为1:3，A错；磁场中的偏转半径,又则，半径之比为，B对；分析P+粒子运动可得磁场宽度，分析P3+粒子运动可得磁场宽度，则，离开电场时动能,二者之比,D对。

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋(　　)

    A．在电场中的加速度之比为1∶1

    B．在磁场中运动的半径之比为∶1

    C．在磁场中转过的角度之比为1∶2

    D．离开电场区域时的动能之比为1∶3

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    科目：高中物理 来源：浙江 题型：多选题

    在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（　　）
    A．在内场中的加速度之比为1：1
    B．在磁场中运动的半径之比为
    		3
    ：1
    C．在磁场中转过的角度之比为1：2
    D．离开电场区域时的动能之比为1：3
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    科目：高中物理 来源：2013年浙江省高考物理试卷（解析版） 题型：选择题

    在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）

    A．在内场中的加速度之比为1：1
    B．在磁场中运动的半径之比为：1
    C．在磁场中转过的角度之比为1：2
    D．离开电场区域时的动能之比为1：3

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