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(14分)如图所示,一个U形导体框架,其宽度L=1m,框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B=0.2T。今有一条形导体ab,其质量为m=0.5kg,有效电阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能无摩擦地滑动,求:
(1)由静止释放导体,导体ab下滑的最大速度vm
(2)在最大速度vm时,在ab上释放的电功率。(g=10m/s2)。


解(1)导体ab受G和框架的支持力N,而做加速运动由牛顿第二定律
mgsin30°= ma      a = gsin30°= 5(m/s2
设安培力为FA
FA=BIL=BEL/R=B2L2V/R
F=mgsin300- FA 
 
a= gsin300- B2L2V/mR
当a=0时,速度v有最大值

 (2)在导体ab的速度达到最大值时,电阻上释放的电功率

解析

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科目:高中物理 来源:2009年复习高考物理易错题集锦 题型:038

如图所示,一个U形导体框架,其宽度L=1 m,框架所在平面与水平面的夹用α=30°.其电阻可忽略不计.设匀强磁场与U形框架的平面垂直.匀强磁场的磁感强度B=0.2 T.今有一条形导体ab,其质量为m=0.5 kg,有效电阻R=0.1 Ω,跨接在U形框架上,并且能无摩擦地滑动,求:

(1)由静止释放导体,导体ab下滑的最大速度vm

(2)在最大速度vm时,在ab上释放的电功率.(g=10 m/s2).

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科目:高中物理 来源: 题型:

(12分)如图所示,一个U形导体框架,其宽度l=1m,框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度 B=0.2T。今有一条形导体ab,其质量为m=0.5kg,有效电阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能无摩擦地滑动,求

(1)由静止释放导体,导体ab下滑的最大速度vm

(2)在最大速度vm时,在ab上释放的电功率。(g=10m/s2)。

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科目:高中物理 来源: 题型:

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(1)由静止释放导体,导体ab下滑的最大速度vm

(2)在最大速度vm时,在ab上释放的电功率。(g=10m/s2)。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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科目:高中物理 来源:2013届龙海二中高二下学期第一次月考考试物理卷 题型:选择题

(14分)如图所示,一个U形导体框架,其宽度L=1m,框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B=0.2T。今有一条形导体ab,其质量为m=0.5kg,有效电阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能无摩擦地滑动,求:

(1)由静止释放导体,导体ab下滑的最大速度vm

(2)在最大速度vm时,在ab上释放的电功率。(g=10m/s2)。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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