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    （18分）如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°.(忽略离子所受重力)

    (1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ；

    (2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    (3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

    【解析】　(1)得E0＝U0/d

    由tan Φ＝得Φ＝45°

    (2)由

    得R＝2

    (3)将4m和16m代入R，得R1、R2.

    由Δs＝－R1，

    将R1、R2代入得Δs＝4( －1)

    由R′2＝(2R1)2＋(R′－R1)2

    得R′＝R1

    由R1＜R＜R1

    得m＜mx＜25m

    【答案】　(1)　45°

    (2)2

    (3)4(－1)　m＜mx＜25m

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    q
    m
    与x关系，下列那一幅正确（　　）
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    （19分）如图所示，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，＝90°。（忽略粒子所受重力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16m的离子打在S2处。求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°.（忽略离子所受重力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

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    如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°。（忽略离子所受重力）
    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ；
    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。

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