练习册

  • 练习册
  • 试题
    精英家教网 > 高中物理 > 题目详情

    如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°.（忽略离子所受重力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

    解析：(1)得E0＝U0/d

    由tan Φ＝得Φ＝45°(2)由得R＝2 

    (3)将4m和16m代入R，得R1、R2.由Δs＝－R1，

    将R1、R2代入得Δs＝4( －1) 由R′2＝(2R1)2＋(R′－R1)2

    得R′＝R1由R1＜R＜R1得m＜mx＜25m

    【答案】　(1)　45°(2)2(3)4(－1)　m＜mx＜25m

    练习册系列答案
    年级 高中课程 年级 初中课程
    高一 高一免费课程推荐！ 初一 初一免费课程推荐！
    高二 高二免费课程推荐！ 初二 初二免费课程推荐！
    高三 高三免费课程推荐！ 初三 初三免费课程推荐！
    相关习题

    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具，它的构造原理如图所示，离子源S产生的各种不同正离子束（速度可看作零），经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场，到达照相底片P上，设离子在P上的位置到入口处S1的距离为x，则离子的比荷
    q
    m
    与x关系，下列那一幅正确（　　）
    A、精英家教网
    B、精英家教网
    C、精英家教网
    D、精英家教网

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源： 题型：

    （19分）如图所示，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，＝90°。（忽略粒子所受重力）

    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ；

    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16m的离子打在S2处。求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源： 题型：

    （18分）如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°.(忽略离子所受重力)

    (1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ；

    (2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

    (3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：山东省期末题 题型：计算题

    如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°。（忽略离子所受重力）
    （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ；
    （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
    （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。

    查看答案和解析>>

    同步练习册答案