A. | 线框进入磁场过程产生的电热Q=mg(d-L) | |
B. | 2、3、4位置中位置3时的速度最小 | |
C. | 线框从位置3下落到4的过程中加速度一直减少 | |
D. | 线框在即将到达位置3时瞬间克服安培力做功率为$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$ |
分析 应用能量守恒定律可以求出线框进入磁场过程产生的热量;
根据题意分析线框的运动过程,确定其速度最小的位置;
根据线框运动情况与受力情况分析其加速度的变化情况;
根据题意求出线框到达3位置时的速度,应用安培力公式求出安培力,然后应用功率公式求出安培力的功率.
解答 解:A、由题意可知,下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时速度相等,则线框进入磁场过程产生的电热:Q=mgd,故A错误;
B、线框完全进入磁场后不受安培力作用,在重力作用下做匀加速直线运动,由题意可知,下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时速度相等,由此可知,线框进入磁场过程做减速运动,完全进入磁场后做加速运动,线框刚完全进入磁场时速度最小,由图示可知,2、3、4位置中位置3的速度最小,故B正确;
C、由图示可知,位置3到位置4线框完全在磁场内,线框只受重力作用做匀加速直线运动,加速度为g,保持不变,故C错误;
D、线框从1到2位置过程,由动能定理得:mgh=$\frac{1}{2}$mv2-0,从位置3到位置4过程,由动能定理得:mg(d-L)=$\frac{1}{2}$mv2-$\frac{1}{2}$mv′2,
框在即将到达位置3时瞬间受到的安培力:F=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v′}{R}$,此时克服安培力的瞬时功率;P=Fv′,解得:P=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$,故D正确;
故选:BD.
点评 本题是电磁感应与力学相结合的综合题,分析清楚线圈的运动过程与各阶段的运动性质是解题的前提与关键,应用能量守恒定律、动能定理与功率公式可以解题;求线圈产生的热量往往应用能量守恒定律求解.
科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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科目:高中物理 来源: 题型:实验题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 反射光线也转过θ角 | |
B. | 反射光线转过2θ角 | |
C. | 入射角增大2θ角 | |
D. | 反射光线与入射光线的夹角增大θ角 |
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科目:高中物理 来源: 题型:填空题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 上述实验测量的是小明的反应时间 | |
B. | 上述实验测量的是小亮的反应时间 | |
C. | 上述实验可以由一人用双手来完成 | |
D. | 小明和小亮两手间的距离越大,被测者的反应时间越长 |
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