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(10分)如图所示,A、B是竖直放置的中心带有小孔的平行金属板,两板间的电压为U1=100V,C、D是水平放置的平行金属板,板间距离为d=0.2m,板的长度为L=1m,P是C板的中点,A、B两板小孔连线的延长线与C、D两板的距离相等,将一个负离子从板的小孔处由静止释放,求:

(1)为了使负离子能打在P点,C、D两板间的电压应为多少?哪板电势高?
(2)如果C、D两板间所加的电压为2V,则负离子能打在板上吗?若不能打在板上,它离开电场时发生的侧位移多少?
(1)32V,C板电势高。(2)负离子能打出去,不能打在板上,侧位移

试题分析:(1)电子在加速电场中,电场力做正功,根据动能定理求解
(2)由题:电子从两板正中间垂直电场方向射入,且正好能打在C板的正中点P,得知:,根据牛顿第二定律求出加速度,再位移公式求出时间.根据负离子的受力方向确定极板电势的高低;
(3)由题,则由求解.
(1)在AB间加速    ①
进入CD偏转,设CD电压为U2    ②
    ③        
    ④ 
解①②③④得  
代入数据得U2=32V  带负电的离子向上偏转,C板电势高。 (5分)
(2)设打到板上临界电压为U3,则  ⑤      ⑥    ⑦
解①⑤⑥⑦得U3=8V  所以能打出去
      (5分)
点评:本题是分析和处理带电粒子在组合场中运动的问题,关键是分析运动情况和选择解题规律,分方向研究曲线运动.
练习册系列答案
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科目:高中物理 来源:不详 题型:计算题

(15分)如图所示,水平放置的平行金属板A和D间的距离为d,金属板长为,两板间所加电压为U,D板的右侧边缘恰好是倾斜挡板NM上的一个小孔K,NM与水平挡板NP成角,且挡板足够长,K与N间的距离为.现有一质量为m、电荷量为q的带正电的粒子,从A、D的中点O沿平行于金属板方向以某一速度射入,不计粒子的重力.该粒子穿过金属板后恰好穿过小孔K:

(1)求该粒子从O点射入时的速度大小v0
(2)若两档板所夹的整个区域存在一垂直纸面向外的匀强磁场,粒子经过磁场偏转后能垂直打在水平挡板NP上,求该磁场的磁感应强度的大小B0
(3)若磁场方向变为垂直纸面向里,且只存在于两档板所夹间的某一区域内,同样使该粒子经过磁场偏转后能垂直打在水平挡板NP上(之前与挡板没有碰撞),求满足条件的磁感应强度的最小值Bmin.

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

地面上空同时存在着匀强的电场与磁场,一质量为m的带正电小球,在该区域内沿水平方向向右做直线运动,如图所示,关于场的分布情况可能的是(  )
A.该处电场方向和磁场方向重合
B.电场竖直向上,磁场垂直纸面向里
C.电场斜向里侧上方,磁场斜向外侧上方,均与v垂直
D.电场水平向右,磁场垂直纸面向里

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

如图所示,一束质量、速度和电荷量不同的正离子垂直地射入匀强磁场和 匀强电场正交的区域里,结果发现有些离子保持原来的运动方向,有些未发生任何偏转.如果让这些不偏转的离子进入另一匀强磁场中,发现这些离子又分裂成几束,对这些进入另一磁场的离子,可得出结论(  )
A.它们的动能一定各不相同B.它们的电荷量一定各不相同
C.它们的质量一定各不相同D.它们的电荷量与质量之比一定各不相同

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科目:高中物理 来源:不详 题型:计算题

如图12所示,一个半径为R的绝缘光滑半圆环,竖直放在场强为E的匀强电场中,电场方向竖直向下.在环壁边缘处有一质量为m,带有正电荷q的小球,由静止开始下滑,求小球经过最低点时对环底的压力.

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

在竖直放置的光滑绝缘圆环中,套有一个带电-q、质量m的小环,整个装置放在如图所示的正交电磁场中,电场E=mg/q.当小环从大环顶无初速度下滑时,在滑过什么弧度时所受洛仑兹力最大 (     )
A.π/4B.π/2
C.3π/4D.π

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科目:高中物理 来源:不详 题型:计算题

(8分)如图所示,在场强E=1×104N/C的水平匀强电场中,有一根长为L=15cm的细线,一端固定在O点,另一端系一个质量m=3g、带电量q=+2×10-6C的小球,当细线处于水平位置,小球在A点从静止开始释放,求:小球到达最低点B时对细线的拉力大小。

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科目:高中物理 来源:不详 题型:计算题

如图是等离子体发电机示意图,平行金属板间的匀强磁场的磁感强度B=0.5T,两板间距离为0.20m,要使输出电压为220V,求等离子体垂直射入磁场的速度大小,并说明a、b中的哪点相当于电源的正极?

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科目:高中物理 来源:不详 题型:计算题

(2010年高考福建理综卷)如图8-3-19所示的装置,左半部为速度选择器,右半部为匀强的偏转电场.一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器,能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子,又沿着与电场垂直的方向,立即进入场强大小为E的偏转电场,最后打在照相底片D上.已知同位素离子的电荷量为q(q>0),速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E0的匀强电场和磁感应强度大小为B0的匀强磁场,照相底片D与狭缝S1S2的连线平行且距离为L,忽略重力的影响.

图8-3-19
(1)求从狭缝S2射出的离子速度v0的大小;
(2)若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度v0方向飞行的距离为x,求出x与离子质量m之间的关系式(用E0B0EqmL表示).

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