如图所示.间距为d的光滑平行金属导轨水平放置在竖直向上的磁应强度为B的磁场中.一端接有阻值为R的电阻.一质量为m.电阻为r的导体棒ab放置在导轨上.在外力F作用下从t=0开始运动.其速度规律为v=vmsimωt.不计导轨电阻及感应电流的磁场对原磁场的影响.求:①感应电动势的表达式,②电阻R上的发热功率. 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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如图所示，间距为d的光滑平行金属导轨水平放置在竖直向上的磁应强度为B的磁场中，一端接有阻值为R的电阻，一质量为m，电阻为r的导体棒ab放置在导轨上，在外力F作用下从t=0开始运动，其速度规律为v=v_msimωt，不计导轨电阻及感应电流的磁场对原磁场的影响，求：
①感应电动势的表达式；②电阻R上的发热功率。

①E=BLV_msimt ②E_有= Q=

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科目：高中物理 来源： 题型：

如图所示，间距为d的光滑平行金属导轨，水平放置在竖直向下的、磁感应强度为B的匀强磁场中，一端接有阻值为R的电阻，一质量为m、电阻为r的导体棒ab放置在导轨上，在外力F作用下从t=0开始运动，其速度规律为v=v_msinωt，不计导轨电阻及感应电流产生的磁场对原磁场的影响，求：
（1）电阻R上的发热功率；
（2）从t=0到t=π/2ω时间内外力F所做的功．

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科目：高中物理 来源： 题型：

如图所示，间距为d的平行板电容器与电源相连，电键K闭合．电容器两极板间有一质量为m、带电荷量为q的微粒静止不动．下列各叙述中正确的是（　　）

A．微粒带的是负电

B．电源电动势大小为

mgd

C．断开电键K，微粒将向下做加速运动

D．保持电键K闭合，把电容器两极板距离增大，微粒将向下做加速运动

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科目：高中物理 来源： 题型：

如图所示，间距为d的带电平行金属板P和Q之间构成加速电子的电场，Q板右侧区域I和区域II内存在匀强磁场．区域I左边界与金属板平行，区域Ⅱ的左边界与区域I的右边界重合．已知区域I内的磁场垂直于Oxy平面向外，区域II内的磁场垂直于Oxy平面向里，且磁感应强度大小均为B，区域I和区域II沿x轴方向的宽度均为

mv0

2Be

．以区域I的左边界为y轴，以电子进入区域I时的入射点为坐标原点建立xOy平面直角坐标系．一电子从P板逸出，经过P、Q间电场加速后沿着x轴正向以速度v₀先后通过区域I和区域II，设电子电荷量为e，质量为m，不计电子重力．
（1）求P、Q间电场强度的大小E；
（2）求电子从区域Ⅱ右边界射出时，射出点的纵坐标y；
（3）撤除区域I中的磁场而在其中加上沿x轴正向的匀强电场，使得该电子刚好不能从区域Ⅱ的右边界飞出．求电子的区域II中运动的速度v和在区域I中运动的平均速度

．

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科目：高中物理 来源： 题型：

（2006?盐城一模）如图所示，间距为d的两平行板之间有方向向右的匀强电场，正方形容器abcd内有方向垂直纸面向里的匀强磁场，O为ab边的中点，ab边紧靠平行板．有两个质量均为m，电量均为q的带电粒子P₁和P₂在小孔处以初速度为零先后释放．P₁经匀强电场加速后，从O处垂直正方形的ab边进入匀强磁场中，每一次和边碰撞时速度方向都垂直于被碰的边，当P₁刚好回到O处时与后释放的P₂相碰，以后P₁、P₂都在O处相碰．假设所有碰撞过程均无机械能损失．
（1）若在一个循环中P₁和bc边只碰撞3次，求正方形的边长．
（2）若P₁和P₂在小孔O处刚碰撞后，立即改变平行板内电场强度和正方形容器内磁感应强度的大小，使P₁不再与ab边碰撞，但仍和P₂在O处碰撞．则电场强度和磁感应强度分别变为原来的几倍？

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科目：高中物理 来源：2012-2013学年山东省枣庄三中高三（上）期末物理模拟试卷（西校）（解析版） 题型：解答题

．以区域I的左边界为y轴，以电子进入区域I时的入射点为坐标原点建立xOy平面直角坐标系．一电子从P板逸出，经过P、Q间电场加速后沿着x轴正向以速度v先后通过区域I和区域II，设电子电荷量为e，质量为m，不计电子重力．
（1）求P、Q间电场强度的大小E；
（2）求电子从区域Ⅱ右边界射出时，射出点的纵坐标y；
（3）撤除区域I中的磁场而在其中加上沿x轴正向的匀强电场，使得该电子刚好不能从区域Ⅱ的右边界飞出．求电子的区域II中运动的速度v和在区域I中运动的平均速度

．

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