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(2012?葫芦岛模拟)如图,在倾角为θ的光滑斜面上,存在着两个磁感应强度大小为B的匀强磁场,磁场的宽度MJ和JG均为L,一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框,由静止开始沿斜面下滑,当ab边刚越过GH进入磁场区时,恰好以速度 v1做匀速直线运动;当ab边下滑到JP与MN的中间位置时,线框又恰好以速度v2做匀速直线运动,从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,线框的机械能减少量为△E,重力对线框做功的绝对值为W1,安培力对线框做功的绝对值为W2,下列说法中正确的有(  )
分析:当ab边刚越过GH进入磁场区时,ab边切割磁感线产生感应电动势,推导此时安培力的表达式,由重力沿斜面向下的分力与安培力平衡,列出方程,得出速度v1的表达式.当ab边下滑到JP与MN的中间位置时,ab边与dc边都切割磁感线,都产生感应电动势,再用同样的方法得出速度v2的表达式,再求出两个速度之比.根据功能关系分析线框克服安培力对线框做功与机械能减小的关系.根据动能定理研究线框动能的变化量.
解答:解:
A、B当ab边刚越过GH进入磁场区时,线框中感应电动势为E1=BLv1,ab边所受安培力的大小为F1=
B2L2v1
R
,由平衡条件得,F1=mg,则有v1=
mgR
B2L2
;当ab边下滑到JP与MN的中间位置时,线框中感应电动势为E2=2BLv2,线框所受安培力的大小为F2=2BL
2BLv2
R
=
4B2L2v2
R
,由平衡条件得F2=mg,则有v2=
1
4
?
mgR
B2L2
,则得到,v2:v1=1:4.故A错误,B正确.
C、从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,根据功能关系得到,金属框的机械能减小转化为电能,而产生的电能等于金属框克服安培力做功,所以W2等于△E.故C正确.
D、从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,重力与安培力对线框做功,根据动能定理得,线框动能变化量等于W1-W2.故D正确.
故选BCD
点评:本题是电磁感应与力学知识的综合,分别从力的角度和能量的角度研究.力的角度,关键是推导安培力的表达式.
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3
cm.求:
(1)微粒进入偏转电场时的速度v0大小;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ;
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电压表V1:量程为6V,内阻约为10kΩ;
电压表V2:量程为30V,内阻约为50kΩ;
滑动变阻器R:0~10Ω,2A;
电源(E=9V),开关,导线若干.
(1)实验中应选用的电流表为
A1
A1
,电压表为
V1
V1
;(填入器材符号)
(2)在虚线框内画出实验电路图;
(3)测出的电阻值与真实值相比
偏小
偏小
(填“偏大”、“偏小”或“相等”).

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