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一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m,各边电阻为1Ω,bc边位于x轴上,在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域,如图所示,当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中,则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中,ab边两端电势差Uab随位置变化情况的是(  )
分析:先根据楞次定律判断线框中感应电流方向,确定a、b两点电势的高低.分两段研究:ab进入磁场切割磁感线过程和dc切割磁感线过程,由E=BLv和欧姆定律求解Uab
解答:解:分两段研究:ab进入磁场切割磁感线过程和dc切割磁感线过程.
ab进入磁场切割磁感线过程中,x在0-L范围:由楞次定律判断得知,线框感应电流方向为逆时针,ab相当于电源,a的电势高于b的电势,Uab>0.感应电动势为 E=BLv=1×0.1×4V=0.4V,Uab是外电压,则有 Uab=
3
4
E
=0.3V;
dc切割磁感线过程,x在L-2L范围:由楞次定律判断得知,线框感应电流方向为顺时针,dc相当于电源,a的电势高于b的电势,Uab>0.感应电动势为 E=BLv=1×0.1×4V=0.4V,Uab是外电压的
1
3
,则有 Uab=
1
4
E
=0.1V;故B正确.
故选B
点评:本题是楞次定律、法拉第电磁感应定律和欧姆定律的综合,比较简单,容易出错的地方是ab的电压是内电压还是外电压的问题.
练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:

一正方形闭合导线框abcd边长l=0.1m,各边电阻均为lΩ,bc边位于x轴上,在x轴原点O 右方有宽L=0.1m的磁感应强度为l T、方向垂直于纸面向里的匀强磁场区域,如图所示.在线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域的过程中,下列各图中,能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中,ab边两端电势差Uab和回路中电流I(设顺时针方向为正方向)随导线框ab边位置变化情况的是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网一正方形闭合导线框abcd,边长为L=0.1m,线框总电阻为0.1Ω,bc边位于x轴上且b点与坐标原点O重合.在x轴原点O的右侧有宽度为0.2m、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域,磁场的磁感应强度为1.0T,如图所示.当线框以4.0m/s的速度沿x轴正方向匀速运动穿过磁场区域时,选项中的图表示的是线框从进入磁场到穿出磁场的过程中,线框电流I(规定顺时针方向为电流的正方向)、线框所受安培力F(规定水平向左为力的正方向)随ab边位置变化的情况,其中正确的是(  )
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科目:高中物理 来源:2007-2008学年北京市朝阳区高二(上)期末物理试卷(解析版) 题型:选择题

一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m,各边电阻为1Ω,bc边位于x轴上,在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域,如图所示,当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中,则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中,ab边两端电势差Uab随位置变化情况的是( )

A.
B.
C.
D.

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科目:高中物理 来源:2007-2008学年江苏省常州市金坛市华罗庚中学高二(上)月考物理试卷(12月份)(解析版) 题型:选择题

一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m,各边电阻为1Ω,bc边位于x轴上,在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域,如图所示,当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中,则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中,ab边两端电势差Uab随位置变化情况的是( )

A.
B.
C.
D.

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