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3.如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ,两电场的边界均是边长为a的正方形(不计电子所受重力).

(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子 离开ABCD区域的位置.
(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.
(3)若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动$\frac{a}{n}$(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置.

分析 (1)在AB边的中点处由静止释放电子,电场力对电子做正功,根据动能定理求出电子穿过电场时的速度.进入电场II后电子做类平抛运动,水平方向做匀速直线运动,竖直方向做匀加速直线运动,由牛顿第二定律求出电子的加速度,由运动学公式结合求出电子离开ABCD区域的位置坐标.
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子先在电场Ⅰ中做匀加速直线运动,进入电场Ⅱ后做类平抛运动,根据牛顿第二定律和运动学公式结合求出位置x与y的关系式.
(3)电子释放,在电场I中加速到v2,进入电场II后做类平抛运动,在高度为y′处离开电场II时的情景与(2)中类似,然后电子做匀速直线运动,运用动能定理、类平抛运动的规律和几何关系结合解答.

解答 解:(1)设电子的质量为m,电量为e,电子在电场I中做匀加速直线运动,出区域I时的速度为v0,此后在电场II中做类平抛运动,假设电子从CD边射出,出射点纵坐标为y,有:eEa=$\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}$
 $\frac{a}{2}$-y=$\frac{1}{2}a{t}^{2}=\frac{1}{2}•\frac{eE}{m}(\frac{a}{{v}_{0}})^{2}$     
解得:y=$\frac{1}{4}$a
所以原假设成立,即电子离开ABCD区域的位置坐标为(-2a,$\frac{1}{4}$a)
(2)设释放点在电场区域I中,其坐标为(x,y),在电场I中电子被加速到v1,然后进入电场II做类平抛运动,并从D点离开,有:
eEx=$\frac{1}{2}m{v}_{1}^{2}$
y=$\frac{1}{2}a{t}^{2}$=$\frac{1}{2}•\frac{eE}{m}(\frac{a}{{v}_{1}})^{2}$
解得:xy=$\frac{1}{4}{a}^{2}$       即在电场I区域内满足该函数的点即为所求位置.
(3)设电子从(x,y)点释放,在电场I中加速到v2,进入电场II后做类平抛运动,在高度为y′处离开电场II时的情景与(2)中类似,然后电子做匀速直线运动,经过D点,则有eEx=$\frac{1}{2}m{v}_{2}^{2}$
  y-y′=$\frac{1}{2}•\frac{eE}{m}(\frac{a}{{v}_{2}})^{2}$
  y′=${v}_{y}•\frac{a}{n{v}_{2}}$
可得 $\frac{y-y′}{a}$=$\frac{1}{2}•\frac{{v}_{y}}{{v}_{2}}$
解得:xy=${a}^{2}(\frac{1}{2n}+\frac{1}{4})$
即在电场I区域内满足该函数的点即为所求位置
答:(1)电子离开ABCD区域的位置坐标为(-2a,$\frac{1}{4}$a).
(2)在电场Ⅰ区域内满足方程xy=$\frac{1}{4}{a}^{2}$的点即为所有释放点的位置.
(3)在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置满足方程xy=${a}^{2}(\frac{1}{2n}+\frac{1}{4})$.

点评 本题实际是加速电场与偏转电场的组合,对于加速往往根据动能定理研究速度.对于类平抛运动,运用运动的分解法研究.要有分析和处理较为复杂的力电综合题的能力.

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A.b线圈不受力,a、c两线圈受力使它们都向中间靠拢
B.b线圈不受力,a、c两线圈受力使它们都背离中间运动
C.b线圈受力使它沿径向膨胀,a、c两线圈受力使它们都向中间靠拢
D.b线圈受力使它沿径向膨胀,a、c两线圈受力使它们都向中间靠拢且沿径向膨胀

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B.当B球运动至最低点时,球A对杆作用力等于0
C.当B球运动到最高点时,杆对B球作用力等于$\frac{mg}{2}$
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