如图甲所示,导体框架abcd的ab、cd边平行,框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正)随时间变化规律如图乙所示.PQ能始终保持静止,则在0〜t2时间内,回路中电流i随时间t变化的图像(取P→Q→c→b→P方向为正)和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图像(取平行于框架平面向上为正)可能正确的是( )
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如图甲所示,导体框架abcd的ab、cd边平行,框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正)随 时间变化规律如图.乙所示。PQ能始终保持静 止,则在0〜t2时间内,回路中电流i随时间t变化的图像(取P→Q→c→b→P方向为正)和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图似取平行于框架平面向上为正)可能正确的是
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如图甲所示,导体框架abcd的ab、cd边平行,框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正)随 时间变化规律如图.乙所示。PQ能始终保持静 止,则在0〜t2时间内,回路中电流i随时间t变化的图像(取P→Q→c→b→P方向为正)和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图似取平行于框架平面向上为正)可能正确的是
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