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如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd垂直且接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示,棒PQ始终静止,在时间0~t0内,棒PQ受到的静摩擦力的大小变化是(  )
分析:由图看出,磁感应强度均匀增大,穿过PQcb回路的磁通量均匀增加,回路中产生恒定电流,根据安培力公式分析安培力大小的变化情况,由左手定则判断安培力方向,由平衡条件分析棒PQ受到的静摩擦力的大小变化情况.
解答:解:由图看出,磁感应强度均匀增大,穿过PQcb回路的磁通量均匀增加,回路中产生恒定电流,根据楞次定律得知,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B增大,PQ所受安培力大小F增大,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F+mgsinθ,F增大,f增大.
故选A
点评:本题是楞次定律、安培力和力平衡等知识的综合应用,直接由楞次定律判断安培力的方向,也可以由楞次定律、左手定则结合判断安培力方向.
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科目:高中物理 来源: 题型:

如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感强度B随时间变化规律如图乙,PQ始终静止,在时间0~t内,PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是(  )

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科目:高中物理 来源:重庆市高二上学期期末考试物理卷 题型:选择题

如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQabcd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示,PQ始终静止,在时间0~t内,PQ 受到的摩擦力f的大小变化可能是

d

 
A.f一直增大        

b

 
B.f一直减小

Q

 

θ

 
C.f先减小后增大    

t

 

O

 

t

 

c

 
D.f先增大后减小

 

 

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科目:高中物理 来源:2006-2007学年上海市浦东新区高三(上)期末物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感强度B随时间变化规律如图乙,PQ始终静止,在时间0~t内,PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是( )

A.f一直增大
B.f一直减小
C.f先减小后增大
D.f先增大后减小

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科目:高中物理 来源:2011-2012学年浙江省杭州市萧山五中高三(上)第二次月考物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd垂直且接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示,棒PQ始终静止,在时间0~t内,棒PQ受到的静摩擦力的大小变化是( )

A.一直增大
B.一直减小
C.先减小后增大
D.先增大后减小

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