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    （14分）如图所示，一个U形导体框架，其宽度L=1m，框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B＝0.2T。今有一条形导体ab，其质量为m＝0.5kg，有效电阻R=0.1Ω，跨接在U形框架上，并且能无摩擦地滑动，求:

    （1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度vm；

    （2）在最大速度vm时，在ab上释放的电功率。（g=10m/s2）。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

    解（1）导体ab受G和框架的支持力N，而做加速运动由牛顿第二定律

    mgsin30°= ma      a =gsin30°= 5（m/s2）

    设安培力为FA

    FA=BIL=BEL/R=B2L2V/R

    F合=mgsin300- FA 

     

    a= gsin300-B2L2V/mR

    当a=0时，速度v有最大值

    　（2）在导体ab的速度达到最大值时，电阻上释放的电功率

     

     

     解析:略

     

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    (1)由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度vm；

    (2)在最大速度vm时，在ab上释放的电功率．(g＝10 m/s2)．

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    （1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度vm；

    （2）在最大速度vm时，在ab上释放的电功率。（g=10m／s2）。

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    （1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度vm；
    （2）在最大速度vm时，在ab上释放的电功率。（g=10m/s2）。

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    科目：高中物理 来源：2013届龙海二中高二下学期第一次月考考试物理卷 题型：选择题

    （14分）如图所示，一个U形导体框架，其宽度L=1m，框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B＝0.2T。今有一条形导体ab，其质量为m＝0.5kg，有效电阻R=0.1Ω，跨接在U形框架上，并且能无摩擦地滑动，求:

    （1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度vm；

    （2）在最大速度vm时，在ab上释放的电功率。（g=10m/s2）。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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