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    如图所示，两个宽度为d的有界磁场区域，磁感应强度都为B，方向如图18所示，不考虑左右磁场相互影响且有理想边界。一带电质点质量为m，电量为q，以一定的初速度从边界外侧垂直磁场方向射入磁场，入射方向与CD成θ角。若带电质点经过两磁场区域后又与初速度方向相同的速度出射。求初速度的最小值以及经过磁场区域的最长时间。（重力不计）。

    解：带电质点只要能进入第二磁场，就可满足要求。即带电质点至少能进入的第二个磁场的速度为最小值。

    d=R（1+cosθ）               （3分）

           （2分）      所以       （4分）

    因为（2分），所以        （2分）

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    （1）导体棒AB产生的感应电动势E和AB棒上的感应电流方向；
    （2）导体棒AB两端的电压U；
    （3）若图中的电容器的电容C为0.3μF，则其充电量是多少？经过一定时间撤去金属棒，从撤去到稳定通过电阻R2的电荷量是多少？

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图所示，两个宽度为d的有界磁场区域，磁感应强度都为B，方向如图所示，不考虑左右磁场相互影响且有理想边界．一带电质点质量为m，电量为q，以一定的初速度从边界外侧垂直磁场方向射入磁场，入射方向与CD成θ角．若带电质点经过两磁场区域后又与初速度方向相同的速度出射．求初速度的最小值以及经过磁场区域的最长时间．（重力不计）．

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    科目：高中物理 来源：2011-2012学年浙江省嘉兴市桐乡高级中学高三（上）月考物理试卷（10月份）（解析版） 题型：解答题

    如图所示，两个宽度为d的有界磁场区域，磁感应强度都为B，方向如图所示，不考虑左右磁场相互影响且有理想边界．一带电质点质量为m，电量为q，以一定的初速度从边界外侧垂直磁场方向射入磁场，入射方向与CD成θ角．若带电质点经过两磁场区域后又与初速度方向相同的速度出射．求初速度的最小值以及经过磁场区域的最长时间．（重力不计）．

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