科目:高中物理 来源: 题型:
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科目:高中物理 来源:新五星级题库高中物理 题型:021
在下图所示的
LC振荡电路中,通过P点的电流随时间变化的图线如图(b)所示,若把通过P点向右的电流规定为i轴的正方向,则A.0至0.5 ms内,电容器C正在充电
B.0.5 ms至1 ms内,电容器上极板带正电荷
C.1 ms至1.5 ms内,Q点比P点电势高
D.1.5 ms至2 ms内磁场能在减少
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科目:高中物理 来源:河北省衡水中学2010-2011学年高二下学期期末考试物理试题 题型:021
在下图所示的LC振荡电路中,通过P点的电流随时间变化的图线如图(b)所示,若把通过P点向右的电流规定为i轴的正方向,则
A.0至0.5 ms内,电容器C正在充电
B.0.5 ms至1 ms内,电容器上极板带正电荷
C.1 ms至1.5 ms内,Q点比P点电势高
D.1.5 ms至2 ms内磁场能在减少,磁感应强度增大
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科目:高中物理 来源:辽宁省铁岭高级中学2012届高三第一学期期中考试物理试题 题型:058
2007年诺贝尔物理学奖予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家.材料的电阻随磁场的增强而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度.若图为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值.为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB.请按要求完成下列实验.
(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0 T,不考虑磁场对电路其他部分的影响).要求误差较小.
提供的器材如下:
A.磁敏电阻,无磁场时阻值R0=150 Ω
B.滑动变阻器R,全电阻约20 Ω
C.电流表A,量程2.5 mA,内阻约为30 Ω
D.电压表V,量程3 V,内阻约3 kΩ
E.直流电源E,电动势3 V,内阻不计
F.开关S,导线若干
(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=________Ω,结合图中可知待测磁场的磁感应强度B=________T.
(3)某同学查阅相关资料时看到了下图所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线关于纵轴对称,由该图线可以得到什么结论?
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科目:高中物理 来源:辽宁省铁岭高级中学2012届高三上学期第三次月考物理试题 题型:058
2007年诺贝尔物理学奖予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家.材料的电阻随磁场的增强而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度.若下图为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RB、Ro分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值.为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB.请按要求完成下列实验.
(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在下图的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0 T,不考虑磁场对电路其他部分的影响).要求误差较小.
提供的器材如下:
A.磁敏电阻,无磁场时阻值Ro=150 Ω
B.滑动变阻器R,全电阻约20 Ω
C.电流表A,量程2.5 mA,内阻约为30 Ω
D.电压表V,量程3 V,内阻约3 kΩ
E.直流电源E,电动势3 V,内阻不计
F.开关S,导线若干
(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=________Ω,结合下图可知待测磁场的磁感应强度B=________T.
(3)某同学查阅相关资料时看到了下图所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线关于纵轴对称,由该图线可以得到什么结论?________
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