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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)
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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．
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    科目：高中物理 来源：2012-2013学年贵州省高三第二次月考理科综合物理试卷（解析版） 题型：选择题

    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)

     

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    科目：高中物理 来源：2012届江西省高二下学期第一次月考物理卷（普） 题型：选择题

    如图甲所示，bacd为用导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin），对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是

    A.F先减小后增大，且在t1时刻为零

    B.F先减小后增大，且在t1时刻F=mgsin

    C.F先增大后减小，且在时刻为最大值

    D.F先增大后减小，且在t1时刻F=mgsin

     

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    科目：高中物理 来源：2013年高考物理复习卷C（九）（解析版） 题型：解答题

    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．

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    科目：高中物理 来源：专项题 题型：不定项选择

    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像一定错误的是(取平行斜面向上为正方向)
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