分析 (1)根据左手定则可得.粒子在磁场中向右偏转,由圆周运动的对称性可得,粒子将沿水平方向进入电场,然后减速到0,再加速运动,从进入点再次进入磁场区域,经过一段时间后第二次进入电场区域,画出运动的轨迹,结合洛伦兹力提供向心力放电方程即可求出坐标;
(2)粒子在第二次进入电场后做平抛运动,将运动分解,即可求出电场强度;
(3)分别求出粒子在电场中运动的时间与在磁场中运动的时间即可.
(4)用矢量分解与合成的方法求出粒子进入第四象限的速度,结合半径公式、轨迹图与几何关系即可求解.
解答 解:(1)根据左手定则可得.粒子在磁场中向右偏转,由圆周运动的对称性可得,粒子将沿水平方向进入电场,然后减速到0,再加速运动,从进入点再次进入磁场区域,经过一段时间后第二次进入电场区域,画出运动的轨迹如图:
由几何关系知,从O到A为$\frac{1}{4}$圆周,从A到C速度匀减速到0,再反向加速到A,从A经$\frac{3}{4}$圆周到D,后垂直电场方向进入电场,做类平抛运动,由几何关系知粒子运动与OP的交点坐标为:A(R,R);D(2R,2R)
由洛伦兹力提供向心力得:$qvB=\frac{m{v}_{0}^{2}}{R}$
得:$R=\frac{m{v}_{0}}{qB}$
所以:交点坐标为:A($\frac{m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{m{v}_{0}}{qB}$);D($\frac{2m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{2m{v}_{0}}{qB}$)
(2)粒子第二次进入电场后做平抛运动,竖直方向:2R=v0t3
得:${t}_{3}=\frac{2R}{{v}_{0}}=\frac{2m}{qB}$
从x轴上某处沿与x轴负向成$\frac{π}{4}$角的方向离开第一象限,得:$tan45°=\frac{{v}_{0}}{{v}_{y}}$
得:vy=v0
又:${v}_{y}=a{t}_{3}=\frac{qE}{m}•\frac{2m}{qB}$=$\frac{2E}{B}$
解得:$E=\frac{1}{2}B{v}_{0}$
(3)由图可得,粒子在磁场中运动的时间刚刚是一个周期,所以粒子在磁场中运动的时间:${t}_{1}=T=\frac{2πm}{qB}$
粒子在电场中做直线往返运动的时间:${t}_{2}=\frac{2{v}_{0}}{a}$
粒子在第一象限运动的总时间:t=t1+t2+t3联立解得:$t=2(π+3)\frac{m}{qB}$
(4)粒子进入第四象限时的速度大小:$v=\sqrt{{v}_{0}^{2}+{v}_{y}^{2}}=\sqrt{2}{v}_{0}$
在圆形磁场的区域中运动:$qv(2B)=\frac{m{v}^{2}}{R′}$
穿越磁场的过程中,速度的方向改变$\frac{π}{2}$,由几何关系知,所甲磁场的最小圆形区域的直径为:$d=\sqrt{2}R′$
则最小面积:$s=π(\frac{d}{2})^{2}$
整理得:$S=\frac{π{m}^{2}{v}_{0}^{2}}{4{q}^{2}{B}^{2}}$
答:(1)粒子的运动轨迹与OP的交点坐标分别是A($\frac{m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{m{v}_{0}}{qB}$);D($\frac{2m{v}_{0}}{qB}$,$\frac{2m{v}_{0}}{qB}$).
(2)电场强度的大小是$\frac{1}{2}B{v}_{0}$.
(3)粒子在第I象限内运动的时间是$2(π+3)\frac{m}{qB}$.
(4)若只在第Ⅳ象限中适当区域加一方向垂直坐标平面,磁感应强度为2B的圆形匀强磁场,使粒子能再次经过坐标原点O且与y轴正向夹角为$\frac{π}{4}$进入第Ⅱ象限.所加磁场的最小面积是$\frac{π{m}^{2}{v}_{0}^{2}}{4{q}^{2}{B}^{2}}$.
点评 考查带电粒子做匀速圆周运动与类平抛运动中,用牛顿第二定律与运动学公式,并结合几何关系来处理这两种运动,强调运动的分解,并突出准确的运动轨迹图.
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | $\frac{U}{3},\frac{4U}{3}$ | B. | $\frac{U}{3},\frac{2U}{3}$ | C. | $\frac{U}{3},\frac{2U}{3}$ | D. | $\frac{U}{3},U$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
序号 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
U/V | 4.00 | 3.40 | 2.80 | 2.00 | 1.50 | 0.80 |
I/A | 0.20 | 0.25 | 0.33 | 0.40 | 0.46 | 0.52 |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
I(A) | 0.12 | 0.20 | 0.31 | 0.32 | 0.50 | 0.57 |
U(V) | 1.37 | 1.32 | 1.24 | 1.18 | 1.10 | 1.05 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 线框进入磁场过程中ab边所受安培力沿斜面向上 | |
B. | 线框进入磁场过程中可能做匀减速运动 | |
C. | 线框中产生的焦耳热一定等于线框减少的机械能 | |
D. | 线框从不同高度释放至完全进入磁场过程中,通过导线横截面的电量相等 |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 从光照至金属表面上到发射出光电子之间的时间间隔将明显增加 | |
B. | 逸出的光电子的最大初动能不变 | |
C. | 单位时间内从金属表面逸出的光电子数目将减少 | |
D. | 有可能不发生光电效应 |
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