A. | 介质1的折射率最大 | |
B. | 介质2是光密介质 | |
C. | 光在介质2中的速度最大 | |
D. | 当入射角由45°逐渐增大时,在介质1、介质2分界面上可能发生全反射 |
分析 根据光路图,首先判断出三种介质的折射率的大小关系,可判断折射率的大小,再结合光在介质中的传播速度与折射率的关系v=$\frac{c}{n}$分析光在介质中速度的大小.由光发生全反射的条件可判知D的正误.
解答 解:A、由图可知,光从介质1射入介质2中折射角大于入射角,则介质1、2相比较,n1>n2.光从介质2射入介质3中折射角小于入射角,则介质2、3相比较,n2<n3,据光的可逆性知,光从2射向1或从2射向3时,入射角相等,从折射角上可判断n3>n1,所以有n3>n1>n2,即介质3折射率最大.故A错误.
B、由对A的分析可知,相对来说,2是光疏介质,故B错误.
C、因2的折射率最小,由公式v=$\frac{c}{n}$知,光在介质2中的传播速度最大,故C正确.
D、光从1到2是从光密介质到光疏介质,入射角小于折射角,在入射角逐渐增大时,在此界面上不会发生全反射.故D错误.
故选:C.
点评 该题是一道考查折射率和全反射的较好的一道题,解答此类问题要注意应用光路的可逆性,并且知道光密介质和光疏介质是相对的.全反射只有光从光密介质射向光疏介质时才能发生.
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A. | 两次子弹对滑块做的功一样多 | |
B. | 子弹嵌入上层过程中对滑块做的功多 | |
C. | 子弹击中下层过程中,系统产生的热量多 | |
D. | 子弹击中上层过程中产生的热量多 |
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A. | 导线框进入磁场时的速度为$\sqrt{gh}$ | |
B. | 导线框进入磁场后,若某一时刻的速度为v,则加速度为a=$\frac{1}{2}$g-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{4mR}$ | |
C. | 导线框穿出磁场时的速度为 $\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
D. | 导线框通过磁场的过程中产生的热量Q=8mgh-$\frac{8{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}}{{B}^{4}{L}^{4}}$ |
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