【题目】硅光电池是一种太阳能电池,具有低碳环保的优点。如图所示,图线a是该电池在某光照强度下路端电压U和电流I变化的关系图象(电池电动势不变,内阻不是定值),图线b是某电阻R的U–I图象。在该光照强度下将它们组成闭合回路时,下列说法中正确的是
A. 硅光电池的内阻为10Ω
B. 硅光电池的总功率为0.72W
C. 硅光电池的内阻消耗的热功率为0.32 W
D. 若将R换成阻值更大的电阻,硅光电池的输出功率增大
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【题目】如图是某金属在光的照射下产生的光电子的最大初动能Ek与入射光频率ν的关系图象.由图象可知错误的是( )
A. 该金属的逸出功等于E
B. 该金属的逸出功等于hν0
C. 入射光的频率为2ν0时,产生的光电子的最大初动能为E
D. 入射光的频率为时,产生的光电子的最大初动能为
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【题目】某交流发电机产生的感应电动势与时间的关系如图所示,下列说法正确的是 ( )
A. t=0时刻发电机的转动线圈位于中性面
B. 在1s内发电机的线圈绕轴转动50圈
C. 将此交流电接到匝数比是1∶10的升压变压器上,副线圈的电压为2200V
D. 将此交流电与耐压值是220V的电容器相连,电容器不会被击穿
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【题目】在一个很小的矩形半导体薄片上,制作四个电极E、F、M、N,做成了一个霍尔元件,在E、F间通入恒定电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,M、N间的电压为UH.已知半导体薄片中的载流子为正电荷,电流与磁场的方向如图所示,下列说法正确的有( )
A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大,MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行,UH不变
D. 将磁场和电流分别反向,N板电势低于M板电势
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【题目】太阳现在正处于主序星演化阶段它主要是由电子和H、等原子核组成维持太阳辐射的是它内部的核聚变反应,核反应方程是:释放核能,这些核能最后转化为辐射能.
已知质子质量,氦核的质量,电子质量,光速试求每发生一次上述核反应所释放的核能;
用上述辐射中产生的波长为400nm某一单色光去照射逸出功为金属材料铯时,能否产生光电效应?若能,试求出产生的光电子的最大初动能保留三位有效数字,普朗克常量
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【题目】如图所示,两根足够长的平行金属导轨固定在倾角θ=30°的斜面上,导轨 电阻不计,间距L=0.4m,导轨所在空间被分成区域Ⅰ和Ⅱ,两区域的边界与斜面的交线为MN,Ⅰ中的匀强磁场方向垂直斜面向下,Ⅱ中的匀强磁场方向垂直斜面向上,两磁场的磁感应强度大小均为B=0.5T,在区域Ⅰ中,将质量m1=0.1kg,电阻R1=0.1Ω的金属条ab放在导轨上,ab刚好不下滑,然后,在区域Ⅱ中将质量m2=0.4kg,电阻R2=0.1Ω的光滑导体棒cd置于导轨上,由静止开始下滑,cd在滑动过程中始终处于区域Ⅱ的磁场中,ab、cd始终与导轨垂直且两端与导轨保持良好接触,取g=10m/s2,求:
(1)cd下滑的过程中,ab中的电流方向?
(2)ab刚要向上滑动时,cd的速度多大?
(3)从cd开始下滑到ab刚要向上滑动的过程中,cd滑动的距离x=3.8m,此过程 中ab上产生的热量Q是多少?
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【题目】如图所示为离子分析装置的简化模型,空间存在以虚线OP为分界线的范围足够宽广匀强电场和匀强磁场,电场方向与分界线垂直,电场强度大小E磁感应强度大小B,OP=a。现有某一速率为v的正离子从O点垂直于OP飞入匀强磁场区域,经两个半圆周后竖直向上通过P点,不计离子的重力及空气阻力,求:
(1)该正离子的比荷;
(2)该正离子从O点出发到竖直向上通过P点全程所用的时间
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【题目】如图所示电路中,闭合开关S,当滑动变阻器的滑动触头P向右滑动时,下列说法正确的是
A. 电流表、电压表读数均变大
B. 电源内部发热功率变小
C. 电源总功率变大
D. 电源效率先增大后减小
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【题目】如图所示,竖直玻璃管粗细均匀,上端开口,下端封闭有长度L1=30cm的理想气体,中间水银柱长h=24cm。在竖直管中间接一水平玻璃管,右端开口于大气相通,管的直径与竖直部分相同,用光滑活塞封闭足够长的水银柱,已知外界大气压强p0=76cmHg,保持环境温度恒为T1=300K,现用外力缓慢向左推活塞,使下端气柱长变为L2=25cm,求:
①气柱长度为L2=25cm时,活塞移动的距离d;
②若活塞左移①中的距离d后固定,对玻璃管缓慢加热,使下端气柱长又变回L1,求此时封闭气体的温度T2.
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