A. | 正点电荷A在金属板B内部产生的电场强度为零 | |
B. | D点的电场强度大于E点的电场强度 | |
C. | D、C两点间的电势差大于C、E两点间的电势差 | |
D. | 只在电场力作用下,电子从E点沿直线运动到D点,电子在CD段动能的变化小于在CE段动能的变化 |
分析 金属板B出现静电感应现象,静电平衡时其内部场强为零.由电场线的疏密来确定电场强度的强弱,等差等势面的疏密体现电场强度的强弱.可根据电场力做功的大小分析动能变化量的大小.
解答 解:A、金属板B内部的电场强度为零,是点电荷A及B板上感应电荷产生的电场叠加的结果,故A错误;
B、电场线越密集,电场强度越大,根据电场线的分布可知,D点的电场强度大于E点的电场强度,故B正确;
C、由U=Ed知,D、C两点间电势差大于C、E两点间电势差,故C正确;
D、电子从E点沿直线运动到D点,在CD段电场力较大,电场力做较大,因此在CD段动能的变化较大,故D错误.
故选:BC
点评 考查电场强度与电场线疏密关系,掌握U=Ed公式的应用,注意成立的条件,理解电场力做功与动能变化的关系.
科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 物体抛出的初速度为10m/s | B. | 物体落地时的速度约为17.3m/s | ||
C. | 物体落地时下落的高度为15m | D. | 物体在空中运动的时间为2s |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | $\frac{3{v}_{0}tanθ}{4πGt}$ | B. | $\frac{3{v}_{0}tanθ}{πGrt}$ | C. | $\frac{3{v}_{0}tanθ}{2πGrt}$ | D. | $\frac{{v}_{0}tanθ}{πGrt}$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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位置编号 | A | B | C | D | E |
时间t/s | 0 | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 |
瞬时速度v/(m•s-1) | 1.38 | 2.64 | 3.90 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | x=3 m | B. | x=6 m | C. | x=8 m | D. | x=9 m |
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