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    关于半导体，下列判断正确的是（    ）

    A.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间

    B.在太空船中可以制造纯度极高的半导体单晶硅

    C.半导体的导电性能随温度的升高而降低

    D.半导体与导体都是由自由电子导电

    AB

    练习册系列答案
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    科目：高中物理 来源： 题型：阅读理解

    实验题
    （1）如图1是用双缝干涉测光的波长的实验设备示图，图中①②③④⑤依次是光源、滤光片、单缝、双缝、光那，调整实验装置使得像屏上可以见到清晰的干涉条纹，关于干涉条纹的情况，下列叙述哪些是正确的
     
    ．
    A．若将光屏向左平移一小段距离，屏上的干涉条纹将变得不清晰
    B．若将光屏向右平移一小段距离，屏上仍有清晰的干涉条纹
    C．若将双缝间的距离d减小，光屏上的两个相邻明条纹间的距离变小
    D．若将滤光片由绿色换成红色，光屏上的两个相邻暗条纹间的距离增大
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    （2）影响物质材料电阻率的因素很多，一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大，而半导体材料的电阻率则与之相反，随温度的升高而减小．某课题研究组需要研究某种导电材料的导电规律，他们用该种导电材料制作成电阻较小的线状元件Z做实验，测量元件Z中的电源随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律．
    ①他们应选用下图2甲所示的哪个电路进行实验：答：
     

    ②在答题纸上，按照正确的电路图，连接图2乙的实物图．
    ③实验测得元件Z的电压与电流的关系如下表所示．根据表中数据，判断元件Z是金属材料还是半导体材料？答：
     

    U/V 0 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60
    I/A 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.80 3.20
    ④把元件Z接入如图2丙所示的电路中，当电阻R的阻值为R1=2Ω时，电流表的读数为1.25A；当电阻R的阻值为R2=3.6Ω时；电流表的读数为0.80A．结合上表数据，求出电池的电动势为
     
    V，内阻为
     
    Ω．（不计电流表的内阻，结果保留两位有效数字）
    ⑤用螺旋测量器测得线状元件Z的直径如图2丁所示，则元件Z的直径是
     
    mm．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网半导体中参与导电的电流载体称为载流子．N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”，如图所示，一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品，置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时，样品上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电．设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度（单位体积内载流子的个数）用n表示（已知电流I=nqvS，其中v为载流子定向移动的速度，S为导体横截面积），则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是
    （　　）
    A、是N型半导体，n=
    BI
    qdU
    B、是P型半导体，n=
    BI
    qdU
    C、是N型半导体，n=
    BI
    qLU
    D、是P型半导体，n=
    BI
    qLU

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    关于半导体材料,下列判断错误的是(     )

        A.半导体的导电性能随温度的升高而降低

        B.半导体与导体都是自由电子导电

        C.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间

        D.在太空船中可以制造纯度极高的半导体单晶硅

       

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    关于半导体材料,下列判断错误的是(     )

    A．半导体的导电性能随温度的升高而降低

    B．半导体与导体都是自由电子导电

    C．半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间

    D．在太空船中可以制造纯度极高的半导体单晶硅

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