[题目]真空电阻蒸发镀膜是在真空室中利用电阻加热.将紧贴在电阻丝上的金属丝熔融汽化.汽化了的金属分子沉积于基片上形成均匀膜层．在一块面积为S的方形基片上形成共有k层铝分子组成的镀膜.铝膜的质量为m．已知铝的摩尔质量为M.阿伏伽德罗常数为NA．①求基片上每层铝分子单位面积内的分子数n,②真空气泵将真空室中的气体压强从p0=1.0×105Pa减题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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【题目】真空电阻蒸发镀膜是在真空室中利用电阻加热，将紧贴在电阻丝上的金属丝（铝丝）熔融汽化，汽化了的金属分子沉积于基片上形成均匀膜层．在一块面积为S的方形基片上形成共有k层铝分子组成的镀膜，铝膜的质量为m．已知铝的摩尔质量为M，阿伏伽德罗常数为NA．

①求基片上每层铝分子单位面积内的分子数n；

②真空气泵将真空室中的气体压强从p0=1.0×105Pa减小到p1=1.0×10-4Pa，设抽气后真空室中气体温度与抽气前相同，求抽气前后真空室中气体分子数之比．

【答案】（1）（2）

【解析】

（1）基片上铝分子得总数

解得

（2）设真空室中原来气体得体积为，经过等温变化后这部分气体得体积为，根据波意耳定律有

设抽气前和抽气后真空室内气体分子数分别为，则

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B．开关S接到位置6时是电压挡

C．开关S接到位置5时的量程比接到位置6时的量程大

D．A表笔为红表笔，B表笔为黑表笔

（2）开关S接位置___________（填“1”或“2”）时是电流挡的小量程，图中电阻R1=_______Ω，R2=___________Ω

（3）已知图中的电源E′的电动势为9V，当把开关S接到位置4，短接A、B进行欧姆调零后，此欧姆挡内阻为________kΩ，现用该挡测一未知电阻阻值，指针偏转到电流表G1满刻度的1/5处，则该电阻的阻值为________kΩ．

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A. 线圈的面积为

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