A. | 电场强度E与磁感应强度B之比$\frac{E}{B}$=$\frac{{v}_{0}}{sinθ}$ | |
B. | 电场强度E与磁感应强度B之比$\frac{E}{B}$=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$ | |
C. | 粒子穿过电场和磁场的时间之比$\frac{{t}_{1}}{{t}_{2}}$=$\frac{sinθ}{θ}$ | |
D. | 粒子穿过电场和磁场的时间之比$\frac{{t}_{1}}{{t}_{2}}$=$\frac{cosθ}{θ}$ |
分析 粒子在电场中做类平抛运动,水平方向做匀速直线运动,竖直方向做初速度为零的匀加速直线运动,由牛顿第二定律和运动学公式结合得到偏转角正切tanθ的表达式.在磁场中,粒子由洛伦兹力提供向心力而做匀速圆周运动,由几何知识求出半径,由牛顿第二定律求出sinθ.联立即可求得电场强度E与磁感应强度B之比.
粒子穿过电场时,由水平方向的运动位移和速度求出时间.在磁场中,由t=$\frac{θ}{2π}$T求出时间,即可求得时间之比.
解答 解:AB、设粒子的质量为m,电荷量为q,场区宽度为L,粒子在电场中做类平抛运动,则有:
t=$\frac{L}{{v}_{0}}$…①
a=$\frac{qE}{m}$…②
则 tanθ=$\frac{at}{{v}_{0}}$…③
由①②③得:tanθ=$\frac{qEL}{m{v}_{0}^{2}}$…④
粒子在磁场中做匀速圆周运动,轨迹如图所示.
R=$\frac{m{v}_{0}}{qB}$…⑤
由几何知识得:sinθ=$\frac{L}{R}$…⑥
由⑤⑥解得:sinθ=$\frac{qBL}{m{v}_{0}}$…⑦
由④⑦式解得:$\frac{E}{B}$=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$.故A错误,B正确.
CD、粒子在电场中运动时间 t1=$\frac{L}{{v}_{0}}$…⑧
在磁场中运动时间 t2=$\frac{θ}{2π}$T=$\frac{θ}{2π}$•$\frac{2πm}{qB}$=$\frac{θm}{qB}$…⑨
而L=R•sinθ=$\frac{m{v}_{0}}{qB}$sinθ…⑩
由⑧⑨⑩解出:$\frac{{t}_{1}}{{t}_{2}}$=$\frac{sinθ}{θ}$.故C正确,D错误.
故选:BC
点评 本题是离子分别在电场中和磁场中运动的问题,要抓住研究方法的区别:磁场中往往要画轨迹,结合几何知识研究.在电场中,运用运动的分解法研究.
科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 沿水平方向的分运动始终是匀速运动 | |
B. | 磁场的磁感应强度为$\sqrt{\frac{mgR}{2g{l}^{3}}}$ | |
C. | 产生的电能为2mgl | |
D. | 运动时间为2$\sqrt{\frac{2l}{g}}$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 6s内甲做匀速直线运动,乙做匀变速直线运动 | |
B. | 1s末乙追上甲,两物体第一次相遇 | |
C. | 6s末甲追上乙,两物体第二次相遇 | |
D. | 6s内甲、乙两物体间的最大距离为1m |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 竖直下垂 | B. | 垂直于斜面 | ||
C. | 与竖直向下的方向夹角小于 θ | D. | 以上都不对 |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 波的周期为2.4s | |
B. | 在t2=0.8s时,P点到达波谷位置 | |
C. | 在0-0.3s内,P质点振动经过的路程为0.2m | |
D. | 若该波与另一列频率为1.2Hz的简谐横波相遇将发生稳定的干涉现象 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 若线圈竖直向下平动,其中感应电流方向是a→b→c→d | |
B. | 若线圈向右平动,其中感应电流方向是a→b→c→d | |
C. | 当线圈以通电导线为轴转动时,其中感应电流方向是a→b→c→d | |
D. | 当线圈向导线靠近时,其中感应电流方向是a→b→c→d |
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