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如图所示,有一个均匀带电球体,球心为O,半径为R,电荷体密度为ρ,球内有一个球形的空腔,半径为O的距离为a

(1)处的场强

(2)求证空腔内场强处处相同.

答案:
解析:

(1)4πkaρ/3 (2)


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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网如图所示,在一个均匀的磁场中有一U形导线框abcd,线框处于水平面内,磁场与线框平面垂直,R为一电阻,ef为垂直于ab的一根导体杆,它可在ab、cd上无摩擦地滑动.杆ef及线框中导线的电阻都可不计.开始时,给ef一个向右的初速度,则有(  )
A、ef将减速向右运动B、ef将加速向右运动C、ef将匀速向右运动D、ef将往返运动

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年北京市海淀区高三上学期期末考试物理试卷(解析版) 题型:选择题

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则(    )

A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大

B.k越大,传感器灵敏度()越高

C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高

D.电流,越大,上、下表面的电势差U越小

 

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年北京市海淀区高三第一学期期末考试物理试卷(解析版) 题型:选择题

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图9所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则    (    )

A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大

B.k越大,传感器灵敏度()越高

C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高

D.电流越大,上、下表面的电势差U越小

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,有一个均匀带电球体,球心为O,半径为R,电荷体密度为ρ,球内有一个球形的空腔,半径为R’,OO’的距离为a.

(1)求O’处的场强E’.

(2)求证空腔内场强处处相同.

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