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    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e.将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。
    (1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
    (2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比
    (3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U CC’， 就可测得B。若已知其霍尔系数。并测得U CC’=0.6mV,I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。

    解：(1) 较高 （2）假设定向移动速度为v，有 I=q/t q=nebdvt 可得 I=nebdv稳定时有：Bev=e U CC’/b 可得 U CC’= I 式 中各量均为定值 ，所以侧面的电势差与其中的电流成正比 （3）由上可知B= 代入得：B=0.02T
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    （1）此元件的CC′两个侧面中，哪个面电势高？
    （2）试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
    （3）磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C，间的电压U CC′，就可测得B．若已知其霍尔系数k=
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    =10mV/mA?T    ．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．

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    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。

    (1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
    (2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
    (3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。

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    科目：高中物理 来源：2014届江苏省沭阳县高二下学期期中调研测试物理试卷（解析版） 题型：计算题

    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。

    (1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？

    (2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；

    (3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。

     

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    科目：高中物理 来源：2007-2008学年江苏省苏州市五市三区高三（上）教学调研物理试卷（解析版） 题型：解答题

    一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
    （1）此元件的CC′两个侧面中，哪个面电势高？
    （2）试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
    （3）磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C，间的电压U CC′，就可测得B．若已知其霍尔系数．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．

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