A. | 电源是通过非静电力做功把其他形式的能转化为电能的装置 | |
B. | 安培分子电流假说成功的解释了磁化现象和磁体消磁现象 | |
C. | 电荷在某处不受电场力作用,则该处电场强度一定为零 | |
D. | 一小段通电导体在某处不受安培力作用,则该处磁感应强度一定为零 |
分析 电源是把其他形式的能转化为电能的装置.分子电流假说成功的解释了磁化现象和磁体消磁现象;电场强度是描述电场本身性质的物理量,是由电场本身决定的,与试探电荷无关;电流的方向与磁场的方向平行时,电流不受安培力.
解答 解:A、电源是通过非静电力做功把其他形式的能转化为电能的装置,故A正确.
B、安培根据电流的磁场与磁铁的磁场的相似性提出的分子电流假说成功的解释了磁化现象和磁体消磁现象.故B正确.
C、根据F=qE可知,电荷在某处不受电场力作用,则该处电场强度一定为零.故C正确.
D、一小段通电导体在某处不受安培力作用,可能是电流的方向与磁场的方向平行,该处磁感应强度不一定为零.故D不正确.
本题选择不正确的,故选:D
点评 对于磁感应强度与安培力的关系以及电场强度与电场力的关系,二者有很多的差别,关键是要理解并掌握公式的适用条件、公式中各个量的准确含义.
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 横截面积一定,电阻与导体的长度成正比 | |
B. | 长度一定,电阻与导体的横截面积成正比 | |
C. | 对于某一确定的导体,电阻与通过导体的电流成反比 | |
D. | 对于某一确定的导体,电阻与导体两端的电压成正比 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 根据该图线乙可求出电源的内阻为$\frac{{{E_0}-{U_0}}}{I_0}-{R_0}$,电源的电动势为E0 | |
B. | 当滑动变阻器滑片向左做滑动时,电流表和电压表的示数都增大 | |
C. | 当滑动变阻器的阻值等于电源的内阻时,电源是输出功率最大 | |
D. | 滑动变阻器滑片向左滑动时,电压表和电流表示数的变化量之比$\frac{△u}{△I}$保持不变 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 有天然规则的几何外形的物体一定是晶体 | |
B. | 晶体在物理性质上一定是各向异性的 | |
C. | 晶体熔化时具有一定的熔点 | |
D. | 晶体和非晶体在适当的条件下是可能相互转化的 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 实验前一定要先平衡摩擦力 | |
B. | 实验时一定要在接通打点计时器电源的同时释放小车 | |
C. | 实验前需要知道当地的重力加速度 | |
D. | 小车应从靠近打点计时器的位置开始释放 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 由图线①、③可知在光的颜色不变的情况下,入射光越强,饱和电流越大 | |
B. | 由图线①、②、③可知对某种确定的金属来说,其遏止电压只由入射光的频率决定 | |
C. | 当入射光的频率大于极限频率时,频率增为原来的2倍,光电子最大初动能也增为2倍 | |
D. | 遏止电压越大,说明从该金属中逃出来的光电子的最大初动能越大 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 电阻R的发热功率是3.6W | |
B. | 交流电流表的示数是0.6A | |
C. | 用该交流发电机给电磁打点计时器供电时,打点的时间间隔一定为0.02s | |
D. | 如果将电阻R换成标有“6V 3W”字样的小灯泡,小灯泡能正常工作 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | Fcosθ | B. | μ(G+Fsinθ) | C. | $\frac{μG}{1-μtanθ}$ | D. | Fsinθ |
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科目:高中物理 来源: 题型:填空题
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