A. | 穿过磁场过程,外力做的功为$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$ | |
B. | 穿过磁场过程,导体框产生的焦耳热为$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$ | |
C. | 进入磁场过程,通过导体框某一横截面的电量为$\frac{{B{L^2}}}{R}$ | |
D. | 进入和离开磁场过程,通过导体框的电流大小都为$\frac{BLv}{R}$,且方向相同 |
分析 A、根据安培力公式F=BIL,结合法拉第电磁感应定律,与闭合电路欧姆定律,及力做功表达式,即可求解;
B、根据焦耳定律Q=I2Rt,即可求解;
C、依据电量表达式q=It,及法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,即可推导电量的综合表达式,从而求解;
D、根据楞次定律,结合法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,即可求解.
解答 解:A、根据法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,则线圈穿过磁场过程产生的感应电流大小I=$\frac{BLv}{R}$,依据安培力公式F安=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
根据力做功表达式W=FS,那么只有在进与出磁场过程中,才有安培力,因此安培力做功W安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$×2L=$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$,由于在外力作用下以恒定速度v穿过磁场,则外力做的功为$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$,故A正确;
B、由上分析可知,I=$\frac{BLv}{R}$,根据焦耳定律Q=I2Rt,那么穿过磁场过程,导体框产生的焦耳热为Q=($\frac{BLv}{R}$)2×R×$\frac{2L}{v}$=$\frac{{2{B^2}{L^3}v}}{R}$,故B正确;
C、依据电量表达式q=It,及法拉第电磁感应定律,及闭合电路欧姆定律,即可推导电量的综合表达式q=$\frac{△∅}{R}$,
那么进入磁场过程,通过导体框某一横截面的电量为q=$\frac{{B{L^2}}}{R}$,故C正确;
D、根据楞次定律,可知,进入和离开磁场过程,通过导体框的电流方向不同,但它们的大小是相同,即为$\frac{BLv}{R}$,故D错误;
故选:ABC.
点评 考查法拉第感应定律与闭合电路欧姆定律,及楞次定律的内容,掌握安培力与力做功表达式,理解电量的综合表达式的推导,注意当线圈完全进入磁场时,线圈中没有感应电流,只有在进与出过程中,才有磁通量的变化.
科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 高压输电是通过减小输电电流来减小电路的发热损耗 | |
B. | 减小输电线的电阻有利于减少输电过程中的电能损失 | |
C. | 增大输电线的电阻有利于减小输电过程中的电能损失 | |
D. | 在输送电压一定时,输送的电功率越大,输电过程中的电能损失越小 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 法拉第曾经详尽地研究过单摆的振动,确定了计算单摆周期的公式 | |
B. | 托马斯•杨成功地观察到了光的衍射现象,证明光的确是一种波 | |
C. | 惠更斯建立经典电磁场理论,预言了电磁波的存在 | |
D. | 赫兹在人类历史上首先捕捉到了电磁波 |
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