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16.某同学测干电池电动势和内电阻.他测出路端电压U和总电流I的多组数据,作出U-I图象如图所示,由图象可得出该干电池的电动势Ex=1.5V,内电阻r=1.2.

分析 根据闭合电路欧姆定律写出纵轴物理量U与横轴物理量I的函数表达式,再根据斜率和截距的概念即可求解.

解答 解:根据U=E-Ir=-rI+E可知,U-I图象斜率的绝对值等于电源内阻,纵轴截距等于电动势,即Ex=1.5V,r=$\frac{1.5-0.8}{0.6}$≈1.2Ω;
故答案为:1.5,1.2.

点评 遇到根据图象求解的问题,首先根据物理规律写出关于纵轴物理量与横轴物理量的函数表达式,然后根据斜率和截距的概念即可求解.

练习册系列答案
相关习题

科目:高中物理 来源: 题型:解答题

6.一列简谐横波在x轴上传播,a、b是x轴上相距Sab=6m的两个质点,t=0时,b点正好到达最高点,且b点到x轴的距离为4cm,而此时a点恰好经过平衡位置向上运动,已知这列波的频率为25Hz.
(1)求0-1s内a质点运动的路程;
(2)若a、b在x轴上的距离大于一个波长,求该波的波速.

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科目:高中物理 来源: 题型:解答题

7.如图所示,匀强磁场中有一矩形闭合线圈abcd,线圈平面与磁场垂直.已知线圈的匝数N=100,边长ab=1.0m、bc=0.5m,电阻r=2Ω.磁感应强度B在0-1s内从零均匀变化到0.2T. 在1-5s内从0.2T均匀变化到-0.2T,取垂直纸面向里为磁场的正方向.求:
(1)0.5s时线圈内感应电动势的大小E和感应电流的方向;
(2)在1-5s内通过线圈的电荷量q.

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

4.关于理想气体的下列说法正确的有(  )
A.气体的压强是由气体的重力产生的
B.气体的压强是由大量气体分子对器壁的频繁碰撞产生的
C.一定质量的气体,分子的平均速率越大,气体压强也越大
D.压缩理想气体时要用力,是因为分子之间有斥力

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科目:高中物理 来源: 题型:多选题

11.下列说法正确的是(  )
A.曲线运动一定有加速度
B.平抛运动是一种匀变速曲线运动
C.物体受到的合外力是恒力时不会做曲线运动
D.匀速圆周运动是一种变加速曲线运动

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科目:高中物理 来源: 题型:解答题

1.霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=K$\frac{IB}{d}$,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.
I(×10-3A)3.06.09.012.015.018.0
UH(×10-3V)1.11.93.44.56.26.8

①若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(填“M”或“N”)端通过导线相连.
②已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在给定区域内画出UH-I图线(如图2),利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-5V•m•A-1•T-1(保留2位有效数字).
③该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(填“a”或“b”),S2掷向c(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件S1和E(填器件代号)之间.

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科目:高中物理 来源: 题型:多选题

8.以下有关近代物理内容的若干叙述正确的是(  )
A.一个原子核在一次衰变中可同时放出α、β、和γ三种射线
B.比结合能越大,表示原子核中核子结合得越牢固,原子核越稳定
C.重核的裂变过程质量增大,轻核的聚变过程有质量亏损
D.根据玻尔理论,氢原子的核外电子由较高能级跃迁到较低能级时,要释放一定频率的光子,电子的动能增大,电势能减小

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科目:高中物理 来源: 题型:解答题

5.如图所示有绝热汽缸内,有一绝热轻活塞封闭一定质量的气体,开始时缸内气体温度为27℃,封闭气柱长9cm,活塞横截面积S=50cm2.现通过气缸底部电阻丝给气体加热一段时间,此过程中气体吸热22J,稳定后气体温度变为127℃.已知大气压强等于105Pa,求:
(1)加热后活塞到汽缸底端的距离;
(2)此过程中气体内能改变了多少.

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科目:高中物理 来源: 题型:填空题

6.在“研究平抛物体运动”的实验中,可以描绘平抛物体运动轨迹和求物体的平抛初速度.实验简要步骤如下:
A.安装好器材,注意斜槽末端水平和平板竖直,记下斜槽末端O点和过O点的竖直线,检测斜槽末端水平的方法是将小球放在水平槽中若能静止则可认为水平.
B.让小球多次从同一位置上滚下,记下小球穿过卡片孔的一系列位置;
C.取下白纸,以O为原点,以竖直线为轴建立坐标系,用平滑曲线画平抛轨迹.
D.测出曲线上某点的坐标x、y,用v0=x$\sqrt{\frac{g}{2y}}$算出该小球的平抛初速度,实验需要对多个点求v0的值,然后求它们的平均值.

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