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【题目】为精确测量电源的电动势和内阻,实验小组设计了图甲所示电路,图中S2为单刀双掷开关,定值电阻R0=4Ω。实验时先闭合开关S1,然后分别将S2先后接到12,移动滑动变阻器滑片,记录多组电压表和电流表的读数UI,最后通过描点得到图乙所示的两条U-I关系图线。

(1)请根据图甲,在图丙中将单刀双掷开关连入电路_______

(2)根据图乙可知电源电动势E=_______V,内阻r=_______Ω。(均保留三位有效数字)

(3)电压表内阻RV=_______Ω ,电流表内阻RA=_________Ω。(均保留三位有效数字)

【答案】 3.00 1.00 745 1.00

【解析】

(1)根据电路图连接实物图;

(2、3)明确电表不是理想电表,将其作为电阻进行分析,根据闭合电路欧姆定律得出包含电压表和电流表内阻的表达式,从而结合图象进行分析求解,即可求得.

(1)电路连接如图;

(2)当采用电流表相对电源的内接法时,再由闭合电路欧姆定律可知:
E=U+I(r+R0+RA
当开关接2时,此时采用的是相对电源的电流表外接法,则由闭合电路欧姆定律可知:
E=U+(I+)(r+R0
变形可得:

则由图象规律可知,
aka==6=r+R0+RA
截距ba=3.0V=E
b

已知R0=4Ω
联立解得:E=3.00V;r=1Ω;RV=745Ω;RA=1Ω;

练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图甲是小型交流发电机的示意图,两磁极N、S间的磁场可视为水平方向的匀强磁场,为交流电流表。线圈绕垂直于磁场的水平轴OO′匀速转动,从图示位置开始计时,产生的交变电流随时间变化的图象如图乙所示。以下判断正确的是( )

A. 线圈转动的转速为25 r/s

B. 电流表的示数为10 A

C. 1s钟内线圈中电流方向改变了50

D. 0.01 s时线圈平面与中性面重合

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【题目】高空坠物伤人事件常有发生。一身高为1.75m的同学被一根从6.75m高处竖直落下的枯树枝砸正头顶,设枯枝质量为2kg,与头部作用时间为0.02s,那么

A. 枯枝对人的头部产生的冲击力约20N

B. 枯枝对人的头部产生的冲击力约1000N

C. 保持其他条件不变,身高更高的同学,头部受到枯枝的冲击力会更大

D. 保持其他条件不变,身高更矮的同学,头部受到枯枝的冲击力会更小

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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图所示,矩形abcd位于匀强电场中,且与匀强电场方向平行。已知ab=2bc=4cm,a、b、d的电势分别为6V、2V、4V。初动能为24eV、电荷量为+4e的带正电粒子从a沿着ac方向射入电场。不计粒子的重力,下列说法正确的是

A. 匀强电场的电场强度大小为141V/m

B. 匀强电场的电场强度大小为100V/m

C. 该粒子刚离开矩形区域时动能一定小于48eV

D. 该粒子刚离开矩形区域时动能一定大于40eV

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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图所示,有一质量为M的大圆环,半径为R,被一轻杆固定后悬挂在O点,有两个质量为m的小环(可视为质点),同时从大环两侧的对称位置由静止滑下.两小环同时滑到大环底部时,速度都为v,则此时大环对轻杆的拉力大小为(

A. 2m+2Mg B.

C. 2mg++Mg D. 2mg+Mg

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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图,直线MN右侧分布着范围足够大的匀强磁场,磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向里。磁场中有一点P,距离O点为L,O、P连线与MN的夹角为θ一群质量为m、电荷量为-qq>0)的粒子,从MN上的O点以大小不同的速度沿纸面向各个方向射入磁场中。忽略所有粒子的重力和粒子间相互作用,求

(1)能够通过P点的带电粒子的最小速度;

(2)带电粒子从O点到达P点所用最长时间。

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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图所示,一长为l的绝缘杆两端分别带有等量异种电荷,电量的绝对值为Q,处在场强为E的匀强电场中,杆与电场线夹角α=60°,若使杆沿顺时针方向转过60°(以杆中点为圆心转动),则下列叙述中正确的是( ).

A. 电场力不做功,两电荷电势能不变

B. 电场力做的总功为QEl/2,两电荷的电势能减少

C. 电场力做的总功为-QEl/2,两电荷的电势能增加

D. 电场力做总功的大小跟转轴位置有关

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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图所示,某次发射远地圆轨道卫星时,先让卫星进入一个近地的圆轨道Ⅰ,在此轨道运行的卫星的轨道半径为、周期为;然后在P点点火加速,进入椭圆形转移轨道Ⅱ,在此轨道运行的卫星的周期为;到达远地点Q时再次点火加速,进入远地圆轨道Ⅲ,在此轨道运行的卫星的轨道半径为、周期为(轨道Ⅱ的近地点为Ⅰ上的P点,远地点为轨道Ⅲ上的Q点)。已知=2,则下列关系正确的是( )

A.

B.

C.

D.

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【题目】利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差(霍尔电压),这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电压UH。当电荷所受的电场力和洛伦兹力平衡时,EHUH达到稳定值。

(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为1,请写出UHEH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1c、f哪端的电势高;

(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的自由电荷数为n,每个电荷量为q。理论表明霍尔电压UH的大小与IB以及霍尔元件厚度d、材料的性质有关。试推导出UH的表达式,并指出表达式中体现材料性质的物理量;

(3)2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉动信号图像如图3所示。若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式。

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