A. | E=n$\frac{△∅}{△t}$,此公式中E是感应电动势,n是线圈匝数,△∅是磁通量的变化量 | |
B. | E=BIL,此公式中E是感应电动势,B为磁感应强度,I是导体中的电流,L是导体的长度.在直接运用该公式时必须要求B、I、L三者两两互相垂直 | |
C. | E=BSω,此公式表示某导体框在磁场中转动且导体框平面与磁场平行位置时产生的最大感应电动势.其中B为磁感应强度,S是导体框的面积,ω导体框绕某转轴的角速度 | |
D. | E=$\frac{1}{2}$BL2ω,该公式表示某直导线垂直磁场中绕一端点转动时,在导体两端产生的电动势.其中B为磁感应强度,L是导体的长度,ω导体框绕端点转动的角速度 |
分析 A、根据法拉第电磁感应定律E=n$\frac{△∅}{△t}$,即可求解;
B、根据安培力大小公式,F=BIL,即可求解;
C、此公式E=BSω,是线圈切割磁感线产生最大感应电动势公式;
D、E=$\frac{1}{2}$BL2ω,该公式表示某直导线垂直磁场中绕一端点转动时,在导体两端产生的电动势.
解答 解:A、由法拉第电磁感应定律E=n$\frac{△∅}{△t}$,n是线圈匝数,△∅是磁通量的变化量,故A正确;
B、F=BIL,此公式中F是安培力大小,B为磁感应强度,I是导体中的电流,L是导体的长度.在直接运用该公式时必须要求B、I、L三者两两互相垂直,故B错误;
C、E=BSω,此公式表示某导体框在磁场中转动且导体框平面与磁场平行位置时产生的最大感应电动势.其中B为磁感应强度,S是导体框的面积,ω导体框绕某转轴的角速度,故C正确;
D、E=$\frac{1}{2}$BL2ω,该公式表示某直导线垂直磁场中绕一端点转动时,在导体两端产生的电动势.其中B为磁感应强度,L是导体的长度,ω导体框绕端点转动的角速度,故D正确;
本题选择错误的,故选:B.
点评 考查各种公式的内容,及理解公式的含义,注意公式间的区别,及成立的条件.
科目:高中物理 来源: 题型:填空题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | A的运行速率大于B的运行速率 | B. | A的周期小于B的周期 | ||
C. | A的向心加速度大于B的向心加速度 | D. | B适度加速有可能与A实现对接 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 该粒子一定带负电 | |
B. | a极板电势一定比b极板高 | |
C. | 到达P点粒子的速度大小与ab间电磁场强弱无关 | |
D. | 带电粒子的$\frac{q}{m}$比值越大,P S′间距离越大 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 20m/s | B. | 60m/s | C. | $\frac{60}{7}$m/s | D. | 12m/s |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 电阻R2两端电压的有效值为$\frac{3\sqrt{2}}{2}$V | |
B. | 通过灯泡电流的有效值为$\frac{\sqrt{10}}{4}$A | |
C. | 变压器副线圈两端电压的有效值为6$\sqrt{2}V$ | |
D. | 通过灯泡电流每秒方向改变50次 |
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科目:高中物理 来源: 题型:填空题
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | AO是入射光,OB为反射光,OC为折射光 | |
B. | BO是入射光,OC为反射光,OA为折射光 | |
C. | CO是入射光,OB为反射光,OA为折射光 | |
D. | BO是入射光,OA为反射光,OC为折射光 |
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