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8.下列说法正确的是(  )
A.单晶体有固定的熔点,多晶体没有固定的熔点
B.液晶具有液体的流动性,同时具有晶体的各向异性持征
C.单晶体中原子(或分子、离子)的排列具有空间周期性
D.通常金属在各个方向的物理性质都相同,所以金属是非晶体

分析 表面张力产生在液体表面层,它的方向平行于液体表面,而非与液面垂直;晶体分为单晶体和多晶体,都有固定的熔点;液晶具有液体的流动性,同时具有晶体的各向异性特征

解答 解:A、晶体分为单晶体和多晶体,都有固定的熔点,故A错误;
B、液晶具有液体的流动性,同时具有晶体的各向异性特征,故B正确.
C、单晶体具有各向异性,原子(或分子、离子)的排列具有空间周期性,故C正确;
D、通常金属在各个方向的物理性质都相同,但具有固定的熔点,故金属均为晶体,故D错误;
故选:BC

点评 本题考查了表面张力及晶体与非晶体的区别,要注意明确晶体有单晶体和多晶体,它们均具有固定熔点,但多晶体没有固定的形状.

练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:实验题

18.如图所示,两根相距为L的平行直导轨ab、cd,b、d间连有一固定电阻R,导轨电阻可忽略不计.MN为放在ab和cd上的一导体杆,与ab垂直,其电阻也为R.整个装置处于匀强磁场中,磁感应强度的大小为B,磁场方向垂直于导轨所在平面(指向图中纸面内).现对MN施力使它沿导轨方向以速度v(如图)做匀速运动.则
(1)流过R的电流方向如何?
(2)求出R两端电压的大小.

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

19.如图所示,一细束白光通过玻璃三棱镜折射后分为各种单色光,取其中a、b、c三种色光,下列说法正确的是(  )
A.a、b、c三色光的频率依次越来越大
B.若分别让a、b、c三色光通过一双缝装置,则a光形成的干涉条纹的间距最大
C.a、b、c三色光在玻璃三棱镜中的传播速度依次越来越大
D.若让a、b、c三色光以同一入射角,从空气中某方向射入一介质,b光恰能发生全反射,则c光也一定能发生全反射

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科目:高中物理 来源: 题型:实验题

16.在“用圆锥摆粗略验证向心力的表达式”实验中,细线下面悬挂一个钢球,细线上端固定在铁架台上.将画着几个同心圆的白纸置于水平桌面上,使钢球静止时正好位于圆心.用手带动钢球,设法使它沿纸上的某个圆做圆周运动(钢球恰不触及纸面).
(1)在该实验中,可以用秒表测量钢球运n圈所用的时间t,通过纸上的圆测出钢球做匀速圆周运动的半径r,再用天平测出钢球的质量m.即可利用公式计算出向心力Fn=$\frac{4{π}^{2}{n}^{2}mr}{{t}^{2}}$.(用你所测物理量符号表示).
(2)求小球受到的合力.结合上一问的测量,只要再测出悬点与小球间的竖直高度h,分析计算合力F=$\frac{mgr}{h}$(用你所测物理量符号表示).
(3)若Fn与F在误差范围相等,便粗略验证了向心力表达式正确性.

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科目:高中物理 来源: 题型:多选题

3.从距地面高h处水平抛出一小石子,空气阻力不计,下列说法正确的是(  )
A.石子运动的速度与时间成正比
B.石子抛出时速度越大,石子在空中飞行的时间越长
C.抛出点高度越大,石子在空中飞行的时间越长
D.石子在空中任何相等的时间内速度变化相等

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

13.下列说法正确的是(  )
A.体积小的物体一定能看成质点
B.路程总是大于位移的大小
C.天宫一号发射升空是在2011年9月29日21时16分整,这是时刻
D.速率是矢量

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科目:高中物理 来源: 题型:实验题

20.某同学利用打点计时器测量小车做匀变速直线运动的加速度.
(1)电磁打点计时器是一种使用交流(选填“交流”或“直流”)电源的计时仪器,它的工作电压是4~6V,当电源的频率为50Hz时,它每隔0.02s打一次点.
(2)实验中该同学从打出的若干纸带中选取一条纸带,如图所示,图中A、B、C、D、E为相邻的计数点,每相邻的两个计数点之间还有4个点没有画出

A点纸带运动的瞬时速度是0.12m/s,小车的加速度是12.60m/s2(以上两空小数点后保留两位数字).

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科目:高中物理 来源: 题型:计算题

17.如图所示,小球从竖直砖墙某位置静止释放,用频闪照相机在同一底片上多次曝光,得到了图中1、2、3、4、5、…所示下落小球运动过程中每次曝光的位置.连续两次曝光的时间间隔均为T,每块砖的厚度均为d.求:
(1)小球下落的加速度a;
(2)小球在位置“4”的速度v;
(3)释放点距位置“4”的距离h.

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

18.在方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区中,一电子沿垂直电场线和磁感线的方向以速度v0射入场区,设电子射出场区时的速度为v,则(  )
A.若v0>$\frac{E}{B}$,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v<v0
B.若v0>$\frac{E}{B}$,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v>v0
C.若v0<$\frac{E}{B}$,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v>v0
D.若v0<$\frac{E}{B}$,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v<v0

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