如图所示,真空室内存在匀强磁场,磁场方向垂直于图中纸面向里,磁感应强度的大小B=0.60T.磁场内有一块平面感光平板ab,板面与磁场方向平行.在距ab的距离为l=16cm处,有一个点状的α放射源S,它向各个方向发射α粒子,α粒子的速度都是v=.已知α粒子的电荷与质量之比
,现只考虑在图纸平面中运动的α粒子,求ab上被α粒子打中区域的长度.
思路点拨:放射源可在图示纸面内向各个方向发射 α粒子,α粒子在磁场中做匀速圆周运动,因圆轨迹的半径是定值,只要确定圆轨迹与ab相交的最远点,即确定了临界状态,就可以确定ab被击中的范围.因α粒子带正电,故α粒子在磁场中沿逆时针方向做匀速圆周运动,用R表示轨道半径,因朝不同方向发射的α粒子的圆轨迹都经过S,由此可知,若某一圆轨迹在图中N点左侧与ab相切于![]() ![]() ![]() 正确解答:解法一:粒子在磁场中沿逆时针方向做匀速圆周运动,设轨迹半径为 R.由洛伦兹力公式和牛顿第二定律可得: ![]() 解得: R=mv/qB,代入数值得:R=0.1m.可见 2R>l>R.设轨迹在 N点左侧与ab相切于![]() ![]() ![]() 若 N点右一点![]() ![]() ![]() 所求的宽度为: ![]() 代入数值是: ![]() 解法二:可利用圆轨迹旋转法求解.以 α粒子射出和任一方向来研究,以R=10cm为半径作出其轨迹圆,使轨迹圆以S为固定点旋转,看圆轨迹与ab交点的变化情况,不难得出切点![]() ![]() |
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如图所示,半径为、圆心为O1的虚线所围的圆形区域内存在垂直纸面向外的匀强磁场,在磁场右侧有一坚直放置的平行金属板C和D,两板间距离为L,在MN板中央各有一个小孔O2、O3。O1、O2、O3在同一水平直线上,两根足够长的直金属导轨MN、PQ平行放置在倾角为θ的绝缘斜面上,两导轨间距也为L。M、P两点间接有阻值为R的电阻。一根质量为m的均匀直金属杆ab放在两导轨上,并与导轨垂直,闭合回路(导轨与导体棒的电阻不计)。整套装置处于匀强磁场中,磁场的磁感应强度为B,磁场方向垂直于斜面向上。整个装置处在真空室中,有一电荷量为+q、质量为m的粒子(重力不计),以速率v0从圆形磁场边界上的最低点
沿半径方向射入圆形磁场区域,最后从小孔O3射出。现释放导体棒ab,其沿着斜面下滑
后开始匀速运动,此时仍然从
点沿半径方向射入圆形磁场区域的相同粒子恰好不能从O3射出,而从圆形磁场的最高点F射出。求:
(1)圆形磁场的磁感应强度B/。
(2)导体棒的质量M。
(3)棒下落h的整个过程中,导体棒ab克服安培力做的功为多少?
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(17分)如图所示,半径为r、圆心为O1的虚线所围的圆形区域内存在垂直纸面向外的匀强磁场,在磁场右侧有一竖直放置的平行金属板M和N,两板间距离为L,在MN板中央各有一个小孔O2、O3,O1、O2、O3在同一水平直线上,与平行金属板相接的是两条竖直放置间距为L的足够长的光滑金属导轨,导体棒PQ与导轨接触良好,与阻值为R的电阻形成闭合回路(导轨与导体棒的电阻不计),该回路处在磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里的匀强磁场中,整个装置处在真空室中,有一束电荷量为+q、质量为m的粒子流(重力不计),以速率v0从圆形磁场边界上的最低点E沿半径方向射入圆形磁场区域,最后从小孔O3射出.现释放导体棒PQ,其下滑h后开始匀速运动,此后粒子恰好不能从O3射出,而从圆形磁场的最高点F射出.求:
(1)圆形磁场的磁感应强度B′.
(2)导体棒的质量M.
(3)棒下落h的整个过程中,电阻上产生的电热.
(4)粒子从E点到F点所用的时间.
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