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    图1-2-10是M、N两个物体做直线运动的位移—时间图象，由图可知（    ）

    图1-2-10

    A.M物体做匀速直线运动                            B.N物体做曲线运动

    C.t0秒内M、N两物体的位移相等                 D.t0秒内M、N两物体的路程相等

    解析：由图可知：M物体的位移随时间均匀变化，N物体的位移随时间不均匀变化，所以M物体做匀速直线运动，N物体做变速直线运动，选项A正确、B错误.t0秒内，M、N两物体的位移都是s0，所以t0秒内两物体的位移相等；随着时间的增加，位移一直在变大，说明M、N的运动方向没变，路程和位移的大小相等，所以t0秒内两物体的路程也相等．

    答案：ACD

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图所示，在真空中有一平行板电容器，两板间距离为10cm，a点离M板2cm，b点离N板也是2cm，ab两点在平行于极板方向的距离为6cm．当电容器充电后，M板带正电荷，N板带负电荷，现测得一个电荷量为+2×10-8C的点电荷，放在a点时所受的电场力大小为2×10-5N，则：该电容器两板间的电势差大小为
    100
    100
    V，如果把点电荷从a点移到b点，电场力做功为
    1.2×10-6
    1.2×10-6
    J．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    与打点计时器一样，光电计时器也是一种研究物体运动情况的常用计时仪器，其结构如图甲所示，a、b分别是光电门的激光发射和接收装置，当有物体从a、b间通过时，光电计时器就可以显示物体通过时的挡光时间．为了测定两张纸之间的动摩擦因数，某同学利用光电计时器设计了一个实验：如图乙所示，在小铁块A和木板B上贴上待测的纸，木板B水平固定，铅锤通过细线和小铁块相连，其中木板上方的细线水平．1和2是固定在木板上适当位置的两个光电门，与之连接的两个光电计时器没有画出．释放铅锤，让小铁块在木板上加速运动，光电门1、2各自连接的计时器显示的挡光对间分别为1.2×10一2 s和0.5×10-2 s．用游标卡尺测量小铁块左、右侧间的宽度d如图丙所
    （1）读出小铁块的宽度d=
    1.05
    1.05
    cm．
    （2）铁块通过光电门2的速度V2=
    2.1
    2.1
    m/s（计算结果保留2位有效数字）．
    （3）已知当地重力加速度为g，细线对铅锤的拉力大小和细线对小铁块A的拉力大小相等，为完成测量，除了测量v1、v2和铅锤、小铁块的质量M、m外，还需测量的物理量有：
    两个光电门之间的距离L
    两个光电门之间的距离L
    （用文字说明并用字母表示）．
    （4）用（3）中各量求解动摩擦因数的表达式：μ=
    2MgL-(M+m)
    (v
    2
    2
    -v
    2
    1
    )
    2mgL
    2MgL-(M+m)
    (v
    2
    2
    -v
    2
    1
    )
    2mgL
    （用字母表示）．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    霍尔效应是电磁基本现象之一，在现代汽车上广泛应用霍尔器件：ABS系统 中的速度传感器、汽车速度表等．如图1，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=k
    IB
    d
    ，式中k为霍尔系数，由半导体材料的性质决定，d为薄片的厚度．利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B．
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    （1）为了便于改变电流方向作研究，设计如图2的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从P端流入，Q端流出，应将S1掷向
     
    （填“a”或“b”），S2掷向
     
    （填“c”或“d”）．
    （2）已知某半导体薄片厚度d=0.40mm，霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待测磁场磁感应强度B不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表．
    I（×10-3A） 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
    UH（×10-3V） 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
    根据表中数据在给定区域内图3中画出UH-I图线，利用图线求出待测磁场B为
     
    T．
    （3）利用上述方法，可以粗略测出磁场的分布．为了更精细测出磁场的分布，可采取的措施有
     

    （A）选用厚度较薄的半导体薄片
    （B）选用厚度较厚的半导体薄
    （C）选用霍尔系数k大的半导体薄片
    （D）增大电流强度I．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    有一个直角支架AOB，AO水平放置，表面粗糙，OB竖直向下，表面光滑，AO上套有小环P，OB上套有小环Q，两环质量均为m，两环间由一根质量可忽略、不可伸长的细绳相连，并在某一位置平衡，如图1-2-10所示.现将P环向左移一小段距离，两环再次达到平衡，那么将移动后的平衡状态和原来的平衡状态比较，AO杆对P环的支持力N和细绳上的拉力T的变化情况是 （　　）

    图1-2-10

    A.N不变，T变大            B.N不变，T变小

    C.N变大，T变大            D.N变大，T变小

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