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如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQabcd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ能够始终保持静止,则0~t2时间内,PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像一定错误的是(取平行斜面向上为正方向)
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B、
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D、
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科目:高中物理 来源: 题型:

如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ能够始终保持静止.试画出0~t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象(取沿斜面向上为正方向).
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科目:高中物理 来源:2012-2013学年贵州省高三第二次月考理科综合物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ能够始终保持静止,则0~t2时间内,PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)

 

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科目:高中物理 来源:2012届江西省高二下学期第一次月考物理卷(普) 题型:选择题

如图甲所示,bacd为用导体做成的框架,其平面与水平面成角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ始终静止,则在0~t2 s内(t=0时刻,安培力大于mgsin),对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是

A.F先减小后增大,且在t1时刻为零

B.F先减小后增大,且在t1时刻F=mgsin

C.F先增大后减小,且在时刻为最大值

D.F先增大后减小,且在t1时刻F=mgsin

 

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科目:高中物理 来源:2013年高考物理复习卷C(九)(解析版) 题型:解答题

如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ能够始终保持静止.试画出0~t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象(取沿斜面向上为正方向).

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