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如图是电阻R1和R2的伏安特性曲线,并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域,现在把R1和R2并联在电路中,消耗的电功率分别为P1和P2,并联的总电阻设为R。下列关于P1和P2的大小关系及R的伏安特性曲线所在区域描述正确的是
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A.特性曲线在Ⅰ区,P1<P2
B.特性曲线在Ⅰ区,P1>P2
C.特性曲线在Ⅲ区,P1>P2
D.特性曲线在Ⅲ区,P1<P2
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科目:高中物理 来源: 题型:

集成电路应用广泛、集成度越来越高,现在集成电路的集成度已达几亿个元件,目前科学家们正朝着集成度突破10亿个元件的目标迈进,集成度越高,各种电子元件越微型化,如图一是我国自行研制成功的中央处理器(CPU)芯片“龙芯”1号,如图二中,R1和R2是材料相同、厚度相同、表面为正方形的导体,但R2的尺寸远远小于R1的尺寸,通过两导体的电流方向如图2,则这两个导体的电阻R1、R2的关系说法正确的是(  )
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A、R1>R2B、R1<R2C、R1=R2D、无法确定

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年河南省河南大学附属中学高二上学期期中考试物理试卷(带解析) 题型:单选题

如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线,并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域.现在把电阻R1和R2并联在电路中,消耗的电功率分别为P1和P2,并联的总电阻设为R,下列关于P1与P2的大小关系及R的伏安特性曲线所在的区域正确的是

A.特性曲线在Ⅰ区,P1<P2
B.特性曲线在Ⅲ区,P1>P2
C.特性曲线在Ⅰ区,P1>P2
D.特性曲线在Ⅲ区,P1<P2

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科目:高中物理 来源:2011年四川省三台县高二教学质量调研测试物理卷 题型:选择题

如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线,且把第一象限分成了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域.现将R1和R2并联在电路中,其电功率分别用P1和P2表示,并联的总电阻为R,下列关于R的伏安特性曲线应该在的区域以及P1、P2大小关系正确的是

A.特性曲线在Ⅰ区,P1<P2     B.特性曲线在Ⅲ区,P1<P2

C.特性曲线在Ⅰ区,P1>P2     D.特性曲线在Ⅲ区,P1>P2

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图是电阻R1和R2的伏安特性曲线,并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域,现在把R1和R2并联在电路中,消耗的电功率分别为P1和P2,并联的总电阻设为R.下列关于P1和P2的大小关系及R的伏安特性曲线应该在的区域的说法正确的是(    )

A.特性曲线在Ⅰ区,P1<P2                   B.特性曲线在Ⅲ区,P1>P2

C.特性曲线在Ⅰ区,P1>P2                   D.特性曲线在Ⅲ区,P1<P2

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