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如图所示,匀强磁场区域宽度为l,现有一边长为d(d>l)的矩形金属框,以恒定速度v向右通过磁场区域,该过程中有感应电流的时间总共为( )

A              B             C              D

 

答案:B
提示:

考查感应电流产生的条件

 


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科目:高中物理 来源: 题型:

在方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

在方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2012?长宁区一模)如图所示,匀强磁场磁感应强度 B=0.2T,磁场宽度 L=0.3m,一正方形金属框边长 ab=0.1m,每边电阻R=0.2Ω,金属框在拉力F作用下以v=10m/s的速度匀速穿过磁场区,其平面始终保持与磁感线方向垂直.求:
(1)画出金属框穿过磁场区的过程中,金属框内感应电流i和a、b两端电压Uab随时间t的变化图线(规定以adcba为正方向);
(2)金属框穿过磁场区域的过程中,拉力F做的功;
(3)金属框穿过磁场区域的过程中,导线ab上所产生的热量.

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网在如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)正交的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则(  )
A、若v0
E
B
,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v>v0
B、若v0
E
B
,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v<v0
C、若υ0
E
B
,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度υ>υ0
D、若υ0
E
B
,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度υ<υ0

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网在方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0 射入场区,则(  )
A、若v0
E
B
,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v>v0
B、若v0
E
B
,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v<v0
C、若v0
E
B
,电子沿轨迹Ⅰ运动,射出场区时,速度v<v0
D、若v0
E
B
,电子沿轨迹Ⅱ运动,射出场区时,速度v<v0

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