A. | t=0时,线框右侧边MN的两端电压为Bav0 | |
B. | 在t0时刻线框的速度为v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$ | |
C. | 线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t0时刻线框的速度大 | |
D. | 线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中,线框中产生的电热为2Fb |
分析 (1)图乙为速度-时间图象,斜率表示加速度,根据图象分析线框的运动情况:在0~t0时间内速度在减小,加速度也在减小,对应甲图中的进入磁场的过程,在t0~3t0时间内做匀加速直线运动,对应甲图中的完全在磁场中运动过程.
(2)当通过闭合回路的磁通量发生变化时,闭合回路中产生感应电流,所以只有在进入和离开磁场的过程中才有感应电流产生,根据安培定则可知,在此过程中才受到安培力.
(3)从1位置到2位置的过程中,外力做的功可以根据动能定理去求解.t因为t=0时刻和t=3t0时刻线框的速度相等,进入磁场和穿出磁场的过程中受力情况相同,故在位置3时的速度与t0时刻的速度相等,进入磁场克服安培力做的功和离开磁场克服安培力做的功一样多.
解答 解:A、t=0时,线框右侧边MN的两端电压为外电压,总的感应电动势为:E=Bav0,外电压U外=$\frac{3}{4}$E=$\frac{3}{4}$Bav0,故A错误;
B、根据图象可知在t0~3t0时间内,线框做匀加速直线运动,合力等于F,则在t0时刻线框的速度为v=v0-a•2t0=v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$,故B正确.
C、因为t=0时刻和t=3t0时刻线框的速度相等,进入磁场和穿出磁场的过程中受力情况相同,故线框完全离开磁场时的速度与t0时刻的速度相等,故C错误.
D.因为t=0时刻和t=3t0时刻线框的速度相等,进入磁场和穿出磁场的过程中受力情况相同,故线框完全离开磁场时的速度与t0时刻的速度相等,进入磁场克服安培力做的功和离开磁场克服安培力做的功一样多.线框在位置1和位置3时的速度相等,根据动能定理,外力做的功等于克服安培力做的功,即有Fb=Q,所以线框穿过磁场的整个过程中,产生的电热为2Fb,故D正确.
故选:BD.
点评 该图象为速度--时间图象,斜率表示加速度.根据加速度的变化判断物体的受力情况.要注意当通过闭合回路的磁通量发生变化时,闭合回路中产生感应电流,所以只有在进入和离开磁场的过程中才有感应电流产生.该题难度较大.
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 向右,$\frac{V}{2}$ | B. | 向右,$\frac{V}{8}$ | C. | 向右,$\frac{3V}{8}$ | D. | 向左,$\frac{V}{8}$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 通过导线的电流为$\frac{I}{8}$ | |
B. | 通过导线的电流为$\frac{I}{16}$ | |
C. | 导线中自由电子定向移动的速率为$\frac{v}{4}$ | |
D. | 导线中自由电子定向移动的速率为$\frac{v}{2}$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
A. | 该金属的极限频率为4.2×1014Hz | |
B. | 该金属的极限频率为5.5×1014Hz | |
C. | 该图线的斜率表示普朗克常量 | |
D. | 该金属的逸出功为0.5 eV | |
E. | 光电子的最大初动能随入射光频率增大而增大 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | 微粒从B至C做加速运动,且vC=4m/s | |
B. | 微粒先做减速运动,后做加速运动 | |
C. | 微粒运动的最终速度为$\sqrt{5}$m/s | |
D. | 微粒最终可能返回至B点,且过B点时的速度大小$\sqrt{5}$m/s |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
A. | φ不变,E不变 | B. | E变小,Ep变大 | C. | Q变小,Ep不变 | D. | φ变小,Q不变 |
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