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    如图所示，有一个均匀带电球体，球心为O，半径为R，电荷体密度为ρ，球内有一个球形的空腔，半径为R’，OO’的距离为a.

    (1)求O’处的场强E’.

    (2)求证空腔内场强处处相同.

    (1)4πkaρ/3                (2)略

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    A、ef将减速向右运动B、ef将加速向右运动C、ef将匀速向右运动D、ef将往返运动

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    科目：高中物理 来源：新五星级题库高中物理 题型：038

    如图所示，有一个均匀带电球体，球心为O，半径为R，电荷体密度为ρ，球内有一个球形的空腔，半径为，O的距离为a．

    (1)求处的场强．

    (2)求证空腔内场强处处相同．

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    霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则(    )

    A.磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

    B.k越大，传感器灵敏度()越高

    C.若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

    D.电流，越大，上、下表面的电势差U越小

     

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    科目：高中物理 来源：2012-2013学年北京市海淀区高三第一学期期末考试物理试卷（解析版） 题型：选择题

    霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图9所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则    (    )

    A.磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

    B.k越大，传感器灵敏度()越高

    C.若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

    D.电流越大，上、下表面的电势差U越小

     

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