2 |
sini |
sinr |
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sini |
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n |
sin45° | ||
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1 |
2 |
sini |
sinr |
科目:高中物理 来源: 题型:阅读理解
IB |
d |
I(×10-3A) | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
UH(×10-3V) | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
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科目:高中物理 来源: 题型:阅读理解
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科目:高中物理 来源: 题型:
3 |
2 |
3 |
2 |
I1R0 |
I2-I1 |
I1R0 |
I2-I1 |
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科目:高中物理 来源:重庆市渝西中学高2007级11月月考高三物理试题 题型:022
(1)有一个游标卡尺,主尺的最小分度为1mm,游标上有20个等分间隔,用该游标卡尺测量可以精确到________mm;现用此卡尺来测量一个物体的厚度的读数示意图,则物体的厚度为________mm
(2)某同学在做“测定匀变速直线运动的加速度”实验时,从打下的若干纸带中选出了如图所示的一条(每两点间还有4个点没有画出来),图中上部的数字为相邻两个计数点间的距离.打点计时器的电源频率为50Hz.
由这些已知数据计算:①与纸带上D点相对应的瞬时速度v=________m/s.②该匀变速直线运动的加速度a=________m/s2.(答案均要求保留3位有效数字)
(3)某同学用图所示电路,测绘标有“3.8V,0.3A”的小灯泡的灯丝电阻R随电压U变化的图象.
①除了导线和开关外,有以下一些器材可供选择:
电流表:A1(量程100mA,内阻约2Ω);A2(量程0.6A,内阻约0.3Ω);
电压表:V1(量程5V,内阻约5kΩ);V2(量程15V,内阻约15Ω);
电源:E1(电动势为1.5V,内阻为0.2Ω);E2(电动势为4V,内阻约为0.04Ω).
为了调节方便,测量准确,实验中应选用电流表________,电压表________,电源________(填器材的符号)
②根据实验数据,计算并描绘出R-U的图象如图所示.由图象可知,此灯泡在不工作时,灯丝电阻为________Ω;当所加电压为3.00V时,灯丝电阻为________Ω,灯泡实际消耗的电功率为________W
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科目:高中物理 来源: 题型:阅读理解
霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。
①若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图丙所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与_________(填“M”或“N”)端通过导线相连。
②已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量
I(×10-3 A) | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
UH(×10-3 V) | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
相应的UH值,记录数据如下表所示。
根据表中数据在给定区域内(见答题卡)画出UH—I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为_______________(保留2位有效数字)。
③该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图丁所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出)。为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向_______(填“a”或“b”), S2掷向_______(填“c”或“d”)。
为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件____________和__________(填器件代号)之间。
图丁
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